Micro LED技术与成本因素待突破,台湾可望成产业练兵场

作者 | 发布日期 2018 年 07 月 16 日 10:24 | 分类 Micro LED

Micro LED被视为可能颠覆产业的新一代显示技术,不过,目前 Micro LED 在技术方案上还未取得突破,成本是关键之一,初期可能先从超大尺寸的100英寸以上高阶荧幕应用开始发展,随着各种转移方案陆续问世,未来将有更具成本竞争力的技术方案出现,而台湾地区发展Micro LED环境相对成熟,可望成为产业练兵场所。

Micro LED为新一代显示技术,结构是微型化LED阵列,也就是将LED结构设计进行薄膜化、微小化与阵列化,使其体积约为目前主流LED大小的1%,每一个画素都能定址、单独驱动发光,将画素点的距离由原本的毫米级降到微米级。

承继了LED的特性,Micro LED优点包括低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、效率较高等,其功率消耗量约为LCD的10%、OLED的50%。而与同样是自发光显示的OLED相较之下,亮度比其高30倍,且分辨率可达1500 PPI(像素密度),相当于Apple Watch采用OLED面板达到300 PPI的5倍之多。

目前Micro LED在技术寿命、对比度、能耗、反应时间与可视角等,均胜过LCD和OLED,龙头厂商如Apple、Sony与三星等早已积极布局,鸿海更砸重金打造Micro LED全产业链,均有助推进Micro LED商业化进程。

不过,由于目前Micro LED在关键技术与设备上还未取得突破,被视为过渡性产品、技术难度相对较低的Mini LED成为当红炸子鸡,许多企业相继投入研发,包括芯片厂晶电、隆达、封装厂亿光、荣创与宏齐、及面板厂群创与友达等台厂相继插旗。

集邦咨询LED研究中心(LEDinside)研究协理储于超指出,目前Micro LED面临的技术瓶颈包括磊晶与芯片、转移、全彩化、电源驱动、背板及检测与修复技术等六大面向,在关键的转移技术环节,随着各种转移方案陆续问世,可预期未来还会有更具成本竞争力的技术方案出现,将有机会加速Micro LED开发进程。

除技术外,成本也是关键挑战之一。储于超表示,所有技术一定有解决方案,但Micro LED如何在技术与成本间取得平衡,将是未来的关键。另一方面,如何提升生产过程的良率、减少修复成本也是重点之一。他并认为,台湾地区发展Micro LED环境相对成熟,未来将成为产业练兵场所,是台湾地区产业发展的机会。

三星、Sony、友达等大厂今年均已展示Micro LED相关概念性产品,储于超认为,Micro LED可能从超大尺寸的100英寸以上高阶荧幕应用开始发展,待技术成熟后,成本将可逐步缩减,但要进入主流规格,得视各家厂商成本下降的速度,约需3年左右时间,至于Micro LED导入AR投影方案已有许多示范品出现,时程可能相对较快。

以商用化时程来说,AR投影方案可望于明年出现,电视荧幕则是2020年,应用于智能型手表可望于2021年量产,至于走入车用电子、手机与平板等领域,可能要等到2022年以后了。据LEDinside最新报告,预估至2022年Micro LED与Mini LED市场产值将达到13.8亿美元,其中6.94亿美元将由Micro LED贡献。

Micro LED所牵涉的产业广泛,包含精密机械、半导体制程、测试与检修等,巨量转移技术也仍有待突破,虽短期内无法达到量产水平,但龙头厂商积极参与研发Micro LED,部分技术已得到一定进展,预期今年下半年就可见到高阶产品量产。

来源:Yahoo奇摩

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