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中国LED网论坛 » LED外延芯片
版主:  Anna 
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LED外延片的红黄光LED
 realchip
实习生   44  2016/12/14 14:19:00
楼主
红光LED以GaP(二元系)、AlGaAs(三元系)和AlGaInP(四元系)为主,主要采用GaP和GaAs作为衬底,未产业化的还有蓝宝石Al2O3和硅衬底。 

1、GaAs衬底:在使用LPE生长红光LED时,一般使用AlGaAs外延层,而使用MOCVD生长红黄光LED时,一般生长AlInGaP外延结构。外延层生长在GaAs衬底上,由于晶格匹配,容易生长出较好的材料,但缺点是其吸收这一波长的光子,布拉格反射镜或晶片键合技术被用于消除这种额外的技术问题。 

2、GaP衬底:在使用LPE生长红黄光LED时,一般使用GaP外延层,波长范围较宽565-700nm;使用VPE生长红黄光LED时,生长GaAsP外延层,波长在630-650nm 之间;而使用MOCVD时,一般生长AlInGaP外延结构,这个结构很好的解决了GaAs衬底吸光的缺点,直接将LED结构生长在透明衬底上,但缺点是晶格失配,需要利用缓冲层来生长InGaP和AlGaInP结构。另外,GaP基的III-N-V材料系统也引起广泛的兴趣,这种材料结构不但可以改变带宽,还可以在只加入0.5 %氮的情况下,带隙的变化从间接到直接,并在红光区域具有很强的发光效应(650nm)。采用这样的结构制造LED,可以由GaNP 晶格匹配的异质结构,通过一步外延形成LED结构,并省去GaAs衬底去除和晶片键合透明衬底的复杂工艺。
岁末感恩回馈http://www.realchip.net/sales.html [回复]  [引用]  [回到顶部]
 宁夏鑫盛达
实习生   38  2016/12/16 15:30:00
第1楼
楼主  你写的有写看不懂  是我是外行
银川全彩LED显示屏http://www.nxxsd.com/宁夏LED显示屏 [回复]  [引用]  [回到顶部]
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