1、材质组成：陶瓷材质：96%氧化铝陶瓷；导体层：99.8%铜；铜/陶瓷采用高温键合工艺，结合层为铜铝尖晶石结构；不含铅、铬等环保标准禁止成分。 
2、  技术参数： 
热      阻：0.31～０.19K/W ；导热率：24W/m.k    
导体层厚度：7～100微米   
热循环次数：大于5万次 
抗拉强度：>300㎏/C㎡(导体层与陶瓷键合力)          
热膨胀系数：7.4ppm/K 
可工作温度：-55～600℃（惰性气氛下） 
3、产品特点： 
机械强度高、性能稳定；高热导率、高绝缘强度、高附着力、防腐蚀； 
极好的热循环性能，循环次数达5万次，可靠性高； 
与PCB(IMS)一样可蚀刻出各种导体图形。 
工作温度范围宽，适合共晶焊。 
 线膨胀系数与芯片接近，简化封装工艺，大幅度提高可靠性、延长芯片工作寿命。 
导热性能优于目前常见的LTCC工艺陶瓷基板。 
过孔可采用高温铜熔合连接工艺。 
产品应用：代替目前应用的镀铜、薄膜工艺陶瓷基板，适用于大功率IC模块、芯片封装衬底、电子标签、高频微波线路板、光电封装基板等。