当MOSFET(Q1)导通时，电流从输入流过LED、并联滤波电容器(C2)、电感(L1)、Q1及感应电阻(R1)，直至达到由感应电阻值和ZXSC310感应电压的感应阈值(通常为19mV)所决定的电流峰值。

一旦电流达到所设定的相应峰值电流，MOSFET就关断并保持1.7ms。在这个时间内，储存在电感内的电能就通过肖特基二极管转移到LED，从而保持高效LED的亮度。

对输入电压和串联LED的数量没有限制。要得到更高的输入电压，就必须适当地调整C1、R2、D1、C2和Q1的值以便能承受电压范围。对于更大数目的LED，最小输入电压必须大于串联LED的正向电压降。

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通过采用降压模式的升压变换器方案，可以用一个低端N沟道MOSFET替代典型降压型变换器中常见的高端P沟道MOSFET。N沟道MOSFET器件的固有导通损耗比尺寸相同的P沟道MOSFET器件的导通损耗低三倍。

当然，在典型的降压变换器电路中也可以使用N沟道MOSFET，但需要额外自举电路对它进行驱动。低端开关也可以使峰值感应电流以地为参考，这与高端电流感应相比，可提高精度并减小噪声。

在间断工作模式下采用升压方法，控制回路工作在电流模式，可为变换器提供周期性控制。这样使其从根本上保持稳定，与电压模式降压变换器相比，它可以简化设计。

上述方案的另外一个特点是，因为当电感处于充电状态时电流流过LED，所以LED电流的峰均值将减小，这样在相同LED亮度下可将峰值电流设置得更小，从而进一步改善效率、可靠性以及输入噪声性能。

作者：Ho Wong，Zetex (Asia) Ltd

来源：电子系统设计