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欧司朗牵头成立研究小组开发高功率UV LED

来源:LEDinside 时间:2017-12-07 14:54 [编辑:JamesWen] 【字体: 】 我来说两句

欧司朗光电半导体(OSRAM Opto Semiconductors)表示,目前正牵头一个由政府出资的研究小组,共同开发一款高功率、面向大众市场的紫外(UV)LED芯片

紫外光可用于各种应用,如固化(干燥)、消毒、生产、医药和生命科学。传统的非LED光源,如汞蒸气灯,具有一定的潜在危害。而且市场上的许多UV LED芯片在某些有用的波长上发光不具有成本优势。

欧司朗表示:“我们合作的目标是提供高功率紫外LED以覆盖各种应用”,“这些LED将最终取代传统的、含汞的UV光源。”

欧司朗表示,新的高功率芯片“也有可能开辟新的应用领域。”

UV对LED制造商来说是一个新兴领域。供应商包括RayVio、Nikkiso、Vital Vio、Sensor Electronic Technology、以及LG Innotek等。

由欧司朗牵头的研究小组由德国联邦教育和研究部(BMBF)资助。它希望在2020年前开发一款250 nm波长到310 nm左右的原型,涵盖部分UV-B和UV-C光谱。

一般紫外光的范围是约100nm到约380或400nm。它是光谱中的短波不可见的部分。

欧司朗发布了一张正在开发中的UV LED芯片照。该照来自德国莱布尼茨联合会费迪南德布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik (FBH))。

其中一个挑战是提高UV-B和UV-C光谱的效率,这要求材料上有突破,并且扩展了UV-A固化效用以外的应用。欧司朗牵头的团队正使用氮化镓铝(AlGaN)材料系统。

除了欧司朗之外,另外四个研究小组是:德国莱布尼茨联合会费迪南德布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik (FBH));柏林工业大学;LayTec AG;和FBH拆分的UVphototonics NT GmbH。

欧司朗负责270-290-nm的范围,FBH处理290-310nm范围的外延,并将外延晶圆加工进UV芯片中;柏林工业大学在AlGaN领域有专业技术,将重点放在250-270 nm的范围;LayTec为控制外延和等离子刻蚀系统提供技术;FBH优化芯片设计,着眼于高电流和高效冷却。此外,它还从其他合作伙伴那里收集过程数据,并提供给研究小组。

欧司朗表示:“新型LED的光输出在300±10 nm处有望超过120 mW,在280±10 nm处超过140 mW,在260±10 nm处超过80 mW”,“研究小组也正在对LED的老化行为作出重大改进,以便它们可以使用更长时间、更经济地运行。”(编译:LED网 James)


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