最新文章

国产红外探测器厂商中科爱毕赛思完成数亿元融资
作者 |发布日期 2023 年 12 月 27 日 17:35 | 分类 企业
12月25日，红外探测器厂商中科爱毕赛思（常州）光电科技有限公司（下文简称“中科爱毕赛思”）官微发布消息称，公司已完成数亿元融资，资金将用于二期产线建设、新一代产品研发及市场拓展。本次融资由海通证券旗下海通创新资本领投，方广资本、常金控、元科投资跟投；老股东昇和资本、国海创新资本...  [详内文]

蔚来ET9发布，搭载自研自产1200V SiC功率模块
作者 |发布日期 2023 年 12 月 26 日 17:57 | 分类 产业
12月23日，蔚来汽车在NIO Day上发布行政旗舰车型ET9，成为蔚来旗下又一款搭载碳化硅（SiC）功率模块的车型。 据介绍，ET9采用蔚来自研自产的1200V SiC功率模块，以及面向900V的46105大圆柱电芯和电池包，单颗电芯能量密度高达292Wh/kg，充电效率达到5...  [详内文]

三安光电公布6英寸SiC最新产能规划
作者 |发布日期 2023 年 12 月 26 日 17:43 | 分类 碳化硅SiC
12月25日，三安光电在互动平台表示，截至2023年上半年末，公司6英寸碳化硅（SiC）产能为1.5万片/月，预计2023年末至2024年初，产能规划扩产至1.8万-2万片/月。三安光电称，公司8英寸SiC产品已进行了小批量试生产，衬底产品良率水平居国内前列且稳步提升。 据悉，湖...  [详内文]

第四代半导体材料龙头NCT又有新突破
作者 |发布日期 2023 年 12 月 26 日 17:41 | 分类 企业
近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓单晶。 据了解，NCT成立于2015年6月， 是一家专注研发和生产新一代半导体技术的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合资...  [详内文]

京东方华灿拟5500万元向北方华创采购Micro LED相关设备
作者 |发布日期 2023 年 12 月 26 日 16:46 | 分类 企业
12月22日，京东方华灿发布公告称，公司全资子公司华灿光电（广东）有限公司（以下简称广东华灿）和华灿光电（浙江）有限公司（以下简称浙江华灿）拟使用募集资金向关联方北方华创购买生产设备，关联交易总额预计不超5,500万元。 其中，广东华灿拟使用募投项目中的“Micro LED晶圆制...  [详内文]

苏格兰SiC晶圆厂Clas-SiC开展大动作
作者 |发布日期 2023 年 12 月 25 日 17:46 | 分类 企业
12月19日，据外媒消息，苏格兰碳化硅（SiC）晶圆厂Clas-SiC正在寻求2400万英镑（折合人民币约2.18亿元）的投资，用来扩大洁净室空间并购买额外的生产设备，此举有望将工厂的产能扩大至2.5倍，该笔资金还可以用于后续的工艺开发和弹性运营。 据了解， Clas-SiC是英...  [详内文]

韩国APROSEMICON公司新建GaN生产基地
作者 |发布日期 2023 年 12 月 25 日 17:45 | 分类 企业
据外媒消息，近日，韩国APROSEMICON公司（首席执行官Jonghyun Lim）将把其光州总部迁至庆北龟尾，并投资600亿韩元（折合人民币约3.3亿元）建设以氮化镓 (GaN) 为基础的功率半导体生产设施。 为此，该公司于12日与庆尚北道和龟尾市签署了谅解备忘录。Apros...  [详内文]

上海新一代化合物半导体产业基地项目有新进展
作者 |发布日期 2023 年 12 月 25 日 17:44 | 分类 功率
根据中建八局上海公司官微消息，昨（24）日，新一代化合物半导体研制基地项目全面封顶，标志着项目高效、安全地完成了主体结构建设任务。 据介绍，项目位于浦东新区泥城镇，总建筑面积5.79万平方米，是上海市重大工程。项目以打造国内领先、国际一流的红外探测器研制生产基地为目标，建成后将形...  [详内文]

数千万！SiC MOSFET厂商至信微电子完成A轮融资
作者 |发布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分类 企业
近日，深圳市至信微电子有限公司（以下简称至信微电子）宣布完成数千万元A轮融资，本轮融资由深智城产投、正景资本、扬子江基金、太和基金共同投资，融资资金将用于加速公司产品研发、团队扩建以及市场拓展等。 资料显示，至信微电子成立于2021年11月，是一家专注于第三代半导体功率器件研发的...  [详内文]

南京国盛第一枚GaN on Si外延片正式下线
作者 |发布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分类 企业
12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延片正式下线。 据介绍，GaN on Si材料具有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，制成的器件还有一定的成本优势，具有较强的竞争力。国盛公司制备的GaN on Si外延片，可以满足电...  [详内文]