近日,东京大学的科研团队在微电子技术领域取得重大突破,成功研制出一种采用掺镓氧化铟(InGaOx)晶体材料的新型晶体管。这一创新成果有望突破传统硅材料的限制,显著提升人工智能(AI)与大数据处理的运算性能,为后硅时代延续摩尔定律带来了新的可能。
自20世纪晶体管诞生以来,作为现代...  [详内文]
东京大学研发掺镓氧化铟晶体管获新突破 |
作者 KikiWang | 发布日期: 2025 年 06 月 30 日 14:12 | | 分类: 氧化铟 |