文章分类： 功率

14.5亿，13万片，国产8英寸碳化硅衬底厂商斩获大单

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 22 日 16:12 |
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近日，世纪金芯与日本某客户签订SiC衬底订单。按照协议约定，世纪金芯将于2024年、2025年、2026年连续三年向该客户交付8英寸SiC衬底共13万片，订单价值约2亿美元（折合人民币约14.5亿元）。 资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，致力于第三代半导体SiC功能材料研...  [详内文]

江苏GaN外延制造中心动工

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 19 日 17:59 |
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张家港经开区官微消息，4月18日上午，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。 公开资料显示，能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-o...  [详内文]

推进碳化硅研发，院企开展合作

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 18 日 17:56 |
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4月17日，宾夕法尼亚州立大学宣布，学校已和摩根先进材料公司（下文简称“摩根公司”）签署了一份谅解备忘录（MOU），以促进碳化硅（SiC）的研发。 source：宾夕法尼亚大学 该协议包括一项为期五年、耗资数百万美元的新计划。摩根公司承诺成为宾夕法尼亚州立大学最近发起的碳化硅创...  [详内文]

国内碳化硅外延片市场简析

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 15 日 9:24 |
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随着电动汽车和新能源需求的持续扩大，碳化硅功率半导体元件在各领域的渗透率呈现持续攀升之势。对于碳化硅外延片环节，过去市场长期由Resonac、Wolfspeed等国际大厂主导，中国厂商瀚天天成与天域半导体历经10余年积累，终随新能源浪潮迎来业务高速增长期，近年来全球市场份额得以迅...  [详内文]

镓仁半导体推出2英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 10 日 13:51 |
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4月9日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，在(010)衬底的研发生产方面再创新高。 source：镓仁半导体 据介绍，氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场强高、巴利加优值大等优点，使基于氧化镓的功率器...  [详内文]

韩国釜山将新建2座8英寸化合物半导体工厂

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:37 |
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4月6日，釜山市政府宣布投资400亿韩元（折合人民币约2.14亿元），在东南放射科学产业园区增建采用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等新一代材料的8英寸化合物功率半导体生产设施，该项目已获国家及市级基金资助。 source：拍信网 为构建生产下一代功率半导体的生态系统，釜山市...  [详内文]

韩国首款2300V SiC MOSFET问世

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 03 日 14:27 |
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据韩媒ETnews报道，3月26日，半导体设计公司Power Cube Semi宣布，已在韩国首次成功开发出2300V碳化硅（SiC）MOSFET，并将于明年初量产。 source：Power Cube Semi 据介绍，Power Cube Semi称，2300V SiC M...  [详内文]

联合多家头部企业，上海打造8英寸碳化硅产业链

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 29 日 17:50 |
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3月29日，据媒体报道，“聚势芯港、引临未来”2024上海全球投资促进大会暨临港新片区宽禁带半导体产业链投资机遇分享会在世界会客厅举行。据介绍，本次活动也是上海首次举办的宽禁带半导体推介活动。 会上，上海市经信委副主任张宏韬、临港新片区党工委副书记吴晓华共同为“宽禁带半导体产业基...  [详内文]