文章分类： 功率

安徽六安大力推进氮化镓激光产业基地建设

作者 | 发布日期: 2024 年 06 月 04 日 10:08 |
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安徽六安市半导体产业在芯片制造与测试、器件制造、化学材料等领域已陆续开展布局，以格恩半导体为核心的氮化镓激光产业基地发展势头良好。全市现有半导体产业链核心企业3家，半导体在建项目10个、总投资71.15亿元；产业链下游终端应用电子信息企业115家，项目28个、总投资319.28亿...  [详内文]

陕西发布培育千亿级第三代半导体产业创新集群行动计划

作者 | 发布日期: 2024 年 05 月 21 日 17:56 |
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近日，据省发展改革委消息：《陕西省培育千亿级第三代半导体产业创新集群行动计划》已于日前印发。按照计划，陕西将重点开展第三代半导体材料工艺技术与核心产品攻关，打通晶体材料高效生长、器件设计制造等产业发展关键节点，构建第三代半导体产业链、创新链、服务链协同发展新模式，打造国内领先的千...  [详内文]

聚焦第三代半导体项目，保定引导基金完成备案

作者 | 发布日期: 2024 年 05 月 15 日 17:50 |
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近日，保定高新区产业投资引导基金有限公司（简称“引导基金”）在中国证券投资基金业协会完成备案，基金总认缴规模20亿元人民币。鲁信创投全资子公司山东省高新技术创业投资有限公司作为引导基金管理人，全面负责基金运营等管理工作。 据介绍，引导基金主要围绕保定市”3+N...  [详内文]

超1300亿！2024年数十个SiC项目有新进展

作者 | 发布日期: 2024 年 05 月 09 日 18:10 |
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2024年以来，SiC产业延续了2023年的火热态势，企业围绕技术研发、签单合作、投融资、IPO、产能建设等方面忙得不亦乐乎，各大厂商频频有利好消息传出。 在投资扩产大旗下，2024年以来已有超30个项目披露了新进展，或签约、或开工、或封顶、或投产，各个项目都在积极推进当中，不断...  [详内文]

碳化硅技术领域2个新进展

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 29 日 14:42 |
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近日，就碳化硅单晶制备和碳化硅切割技术方面，有新进展。 浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶 4月26日，浙大杭州科创中心官微发文称，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化...  [详内文]

14.5亿，13万片，国产8英寸碳化硅衬底厂商斩获大单

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 22 日 16:12 |
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近日，世纪金芯与日本某客户签订SiC衬底订单。按照协议约定，世纪金芯将于2024年、2025年、2026年连续三年向该客户交付8英寸SiC衬底共13万片，订单价值约2亿美元（折合人民币约14.5亿元）。 资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，致力于第三代半导体SiC功能材料研...  [详内文]

江苏GaN外延制造中心动工

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 19 日 17:59 |
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张家港经开区官微消息，4月18日上午，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。 公开资料显示，能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-o...  [详内文]

推进碳化硅研发，院企开展合作

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 18 日 17:56 |
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4月17日，宾夕法尼亚州立大学宣布，学校已和摩根先进材料公司（下文简称“摩根公司”）签署了一份谅解备忘录（MOU），以促进碳化硅（SiC）的研发。 source：宾夕法尼亚大学 该协议包括一项为期五年、耗资数百万美元的新计划。摩根公司承诺成为宾夕法尼亚州立大学最近发起的碳化硅创...  [详内文]

国内碳化硅外延片市场简析

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 15 日 9:24 |
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随着电动汽车和新能源需求的持续扩大，碳化硅功率半导体元件在各领域的渗透率呈现持续攀升之势。对于碳化硅外延片环节，过去市场长期由Resonac、Wolfspeed等国际大厂主导，中国厂商瀚天天成与天域半导体历经10余年积累，终随新能源浪潮迎来业务高速增长期，近年来全球市场份额得以迅...  [详内文]

镓仁半导体推出2英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 10 日 13:51 |
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4月9日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，在(010)衬底的研发生产方面再创新高。 source：镓仁半导体 据介绍，氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场强高、巴利加优值大等优点，使基于氧化镓的功率器...  [详内文]