Tag Archives: 8英寸碳化硅

青禾晶元8英寸SiC键合衬底技术获突破
作者 |发布日期 2024 年 04 月 12 日 10:15 | 分类 碳化硅SiC
4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通过技术创新，在SiC键合衬底的研发上取得重要进展，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。 8英寸N型SiC复合衬底（source：青禾晶元） 青禾晶元介绍，对比6英寸SiC晶圆，8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍，芯片产出可增加80...  [详内文]

价值115亿，同光股份首登全球独角兽榜
作者 |发布日期 2024 年 04 月 10 日 17:22 | 分类 产业
4月9日，胡润研究院发布《2024全球独角兽榜》，列出了全球成立于2000年之后，价值10亿美元以上的非上市公司。 据了解，胡润研究院自2017年以来追踪记录独角兽企业，这是第六次发布全球独角兽榜。本次榜单估值计算的截止日期为2024年1月1日，在发布之前更新了估值的重大变化。 ...  [详内文]

晶升股份8英寸SiC设备已通过验证
作者 |发布日期 2024 年 01 月 09 日 13:56 | 分类 企业
1月5日，晶升股份公布投资者关系活动记录表，介绍了公司碳化硅（SiC）长晶设备的价格及研发进展。 据介绍，晶升股份8英寸SiC长晶设备目前进展顺利，已通过了客户处的批量验证。价格方面，6英寸SiC长晶设备已大批量出货，价格趋于稳定，相对较低；8英寸SiC长晶设备根据不同设计和配置...  [详内文]

又一国产企业成功研制8英寸SiC衬底！
作者 |发布日期 2023 年 05 月 15 日 17:30 | 分类 碳化硅SiC
5月12日，杭州乾晶半导体有限公司（以下简称“乾晶半导体”）宣布，在大尺寸碳化硅单晶生长及其衬底制备方面取得突破：采用多段式电阻加热的物理气相传输（PVT）法生长了厚度达27mm的8英寸n型SiC单晶锭，并加工获得了8英寸SiC衬底片。 资料显示，乾晶半导体成立于2020年7月，...  [详内文]