3月5日，韩国产业通商资源部（MOTIE）正式宣布成立“下一代功率半导体推进小组”，并发布了旨在强化国家竞争力的五年行动计划。
该计划的核心目标是到2030年，将韩国下一代功率半导体的技术自主率从目前的10%大幅提升至20%，标志着韩国已将基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料的功率半导体提升至“国家战略基础设施”的高度。
根据官方发布的行动纲领，此次战略由光云大学具相谟（Koo Sang-mo）教授领衔，将采取分阶段执行的模式。推进小组计划在2026年上半年完成编制“下一代#功率半导体 技术发展路线图”，该路线图将系统梳理涵盖材料、工艺、设计及代工全产业链的性能指标。
随后，政府将在2026年下半年启动大规模专项研发（R&D）项目的规划，并同步开展相关法律修订的政策研讨，为产业的长期稳健发展提供法律保障。
与以往“先研发技术、后寻找应用”的模式不同，本次五年计划强调“需求导向型”转型。
韩国政府正研究修订相关法律，旨在确保本土研发的功率半导体能优先进入国家电网、高压直流输电（HVDC）、人工智能（AI）数据中心、尖端武器系统以及机器人等关键领域。
具相谟教授在启动仪式上指出，功率半导体作为控制和转换电能的“心脏”，在电气化和AI算力爆发的背景下已成为国家安全的重要组成部分，建立自给自足的生态系统是韩国继存储半导体之后占据全球战略高地的必然选择。
（集邦化合物半导体整理）
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