1月8日，三安光电在投资者互动平台明确披露，旗下湖南三安半导体的碳化硅（SiC）MOSFET产品已正式向维谛、台达、光宝、长城、伟创力等全球头部电源厂商实现批量供货，相关产品经这些客户集成后，将最终交付至数据中心、AI服务器、通信设备等下游核心终端场景。
图片来源：湖南三安
公开资料显示，三安光电成立于2000年，2008年登陆上海证券交易所，是国内化合物半导体领域的龙头企业，核心战略定位为“LED+化合物半导体”双主业协同发展。在SiC业务板块，三安光电以湖南三安为核心运营主体，已建成国内领先的6英寸SiC衬底、外延及芯片产线。
梳理三安光电近期动态可见，自2025年12月底以来，公司在核心业务突破、资本运作、产能建设等多个维度动作频频。
除此次SiC MOSFET批量供货外，公司2026年1月8日同步披露，其砷化镓多结太阳能电池已成功应用于商用卫星电源领域，供应多家国内外客户，进一步巩固了在太空光伏赛道的先发优势。
值得关注的是，在新能源汽车领域，公司1200V 13mΩ SiC MOSFET芯片已成功搭载理想汽车高压平台车型，实现车规级产品从技术攻关到规模化装车的里程碑突破。
图片来源：三安半导体
2025年12月29日，公司董事会审议通过为全资及控股子公司提供不超过183亿元担保额度的议案，以支持各子公司在SiC、光通信等核心业务的产能建设与市场拓展，该议案将于2026年1月14日提交临时股东会审议。同期，公司控股股东三安电子完成部分股份质押，累计质押5.99亿股，占其持股比例的49.38%；三安集团及三安电子合计质押7.66亿股，占其合计持股的52.11%，质押融资全部用于生产经营，未触发平仓风险，公司控制权及经营稳定性不受影响。
产能布局上，湖南三安二期6/8英寸兼容产线正在加紧建设，规划年产能36万片（6英寸等效），预计2026年第二季度正式投产，届时将进一步提升公司SiC业务的规模优势。
行业分析人士指出，三安光电近期在SiC、砷化镓等核心业务领域的密集突破，叠加产能扩张与资本运作的稳步推进，正推动公司从传统LED龙头向全球领先的化合物半导体企业转型。
随着8英寸SiC产线良率提升、1.6T光芯片客户验证推进及车规级产品渗透率提升，公司有望在2026年迎来业绩增长的关键拐点，同时为我国化合物半导体产业链的崛起提供支撑。
（集邦化合物半导体 Niko 整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。