9月30日,瑞萨电子正式对外发布TP65H020G4PLSGBD,为业界首款采用8mm×8mm双面散热(DSC)PQFN封装的650V D-Mode氮化镓功率器件。该器件导通电阻20mΩ,最高耐压700V,面向AI数据中心800V高压直流架构,目前已向AI数据中心OEM、ODM客...  [详内文]
瑞萨推出业界首款双面散热650V氮化镓器件 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 08 日 15:38 | 分类 氮化镓GaN |
