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6英寸0孪晶(001)主面氧化镓单晶,成功制备!

作者 |发布日期 2026 年 06 月 05 日 14:39 | 分类 氧化镓
6月3日,据“山东国镓晶谷半导体科技有限公司”官微消息,该公司完成6英寸0孪晶(001)主面氧化镓单晶研制工作,经第三方权威机构检测验证,该款单晶综合晶体品质跻身国际领先层级,成为国内氧化镓大尺寸衬底领域又一项标志性产业化成果。 公开资料显示,国镓晶谷此前已完成4英寸规格氧化镓单...  [详内文]

这一氮化镓功率模组西南总部项目正式完成签约

作者 |发布日期 2026 年 06 月 05 日 14:36 | 分类 氮化镓GaN
6月2日上午,格晶半导体氮化镓功率模组西南总部项目签约仪式在四川南充举办,南充高新区管委会与项目投资方上海格晶半导体有限公司正式签署项目投资合作协议,标志该第三代半导体西南产业化基地落地南充高新区(临江新区顺庆片区)。 据南充市政府发布公示信息,本次落地项目定位为企业西南区域总部...  [详内文]

晶盛机电加码:2.06亿投建高端半导体设备碳化硅零部件项目

作者 |发布日期 2026 年 06 月 05 日 14:32 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期,晶盛机电发布公告,公司董事会审议通过了调整部分募投项目资金用途的议案。原“12英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目”的投资额由5.64亿元调减至1.78亿元,同时将已终止的“年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目”所剩余资金,连同本次调减的资金合计约8.61亿元(...  [详内文]

IICIE国际集成电路创新博览会赋能半导体产业,直击产业前沿 ——三展联动34万展示面积,链接全球优质资源

作者 |发布日期 2026 年 06 月 04 日 15:18 | 分类 展会
2026年9月9—11日,IICIE国际集成电路创新博览会(简称IC创新博览会)将在深圳国际会展中心(宝安)盛大举办。展会构建芯片及芯片设计、晶圆制造、封装测试、核心设备、关键材料及核心零部件的全链条生态布局,打造集产品展示、技术交流、商贸洽谈、创新研讨于一体的半导体制造产业综合...  [详内文]

CVD-SiC新材料项目公示,总投资额3.6亿元

作者 |发布日期 2026 年 06 月 04 日 15:05 | 分类 碳化硅SiC
近日,六安经济技术开发区管委会在官方平台发布环评公示信息,安徽四象芯材电子科技有限公司CVD-SiC材料及零部件新建项目进入环境影响评价公众参与公示阶段。 图片来源:网站信息截图 项目选址落户六安经开区六安东都园区运营管理有限公司4号厂房,整体采用厂房租赁模式建设,项目规划分一...  [详内文]

化合物半导体光电器件平台完成超亿元A+轮融资

作者 |发布日期 2026 年 06 月 04 日 15:01 | 分类 企业 , 化合物半导体
近日,山西国科半导体光电有限公司完成超亿元A+轮融资,由中国科学院下属国科创投领投,中信建投资本、湖南财鑫、长春朝盈等多家国资机构及产业资本参与。公司表示,本轮融资将用于加快核心技术迭代、产品谱系拓展和规模化交付能力建设,进一步服务态势感知、量子信息与精密传感、精密加工、AI光互...  [详内文]

涉及碳化硅业务,半导体核心部件商启动发行

作者 |发布日期 2026 年 06 月 04 日 14:58 | 分类 企业
6月4日,重庆臻宝科技股份有限公司(简称“臻宝科技”)发布招股意向书,正式进入发行程序,投资者可在6月12日进行网上申购。 根据安排,臻宝科技本次拟公开发行新股3,882.2600万股,占发行后总股本15,529.0296万股。其中,初始战略配售数量为776.4520万股,占发行...  [详内文]

盛大开幕!Fac Tec China电子工厂设施展与NEPCON电子展首日场面爆棚,点燃产业升级新动能

作者 |发布日期 2026 年 06 月 04 日 10:14 | 分类 展会
6月2日,Fac Tec China电子工厂设施展及NEPCON电子展在上海世博展览馆盛大开幕!作为2026年电子制造领域的重要行业盛会,展会开展首日呈现高涨人气,各展馆内专业观众络绎不绝,电子工厂节能低碳技术专区、中国静电防护产业展、节能降碳技术产品专区、汽车电子绿色及智慧拆解...  [详内文]

年内二次涨价,功率半导体龙头宣布多款产品调价

作者 |发布日期 2026 年 06 月 03 日 14:22 | 分类 产业
近日,全球MCU及功率半导体龙头企业意法半导体(STMicroelectronics)正式向全体客户及渠道合作伙伴下发价格调整通知函,官宣新一轮产品涨价计划。 根据官方下发的《价格调整通知》文件内容,本次价格调整将于2026年6月28日正式生效,调价范围覆盖公司旗下部分半导体产品...  [详内文]

三安光电联手西电、镓仁半导体,在氧化镓技术领域取得关键突破

作者 |发布日期 2026 年 06 月 03 日 13:56 | 分类 氧化镓
随着新能源汽车、智能电网、轨道交通等高压场景快速发展,市场对高耐压、低损耗功率半导体器件的需求持续增长。氧化镓作为第四代半导体核心材料,具有低导通损耗和高耐压优势,但其产业化长期受限于高质量同质外延技术困难,外延生长易出现缺陷,导致器件良率和实际耐压低。 图片来源:千库网 近日...  [详内文]