SiC属于宽禁带半导体材料,也称为第三代半导体。凭借其禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势,适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。
SiC产业链主要分为晶片制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等部分。其中外延是承上启下的重要环节,具有非常关键的作用。
天域半...  [详内文]
【会议预告】天域半导体:碳化硅外延浅析 |
作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 30 日 17:26 | 分类 碳化硅SiC |