最新文章

合计91.8亿,2个第三代半导体项目披露新进展

作者 |发布日期 2024 年 03 月 13 日 18:00 | 分类 企业
近日,合计投资91.8亿元的芯粤能和晶旭半导体两个第三代半导体项目同时披露了最新进展。 图片来源:拍信网正版图库 芯粤能SiC芯片制造项目加速一期产能爬坡 在这两个项目当中,芯粤能碳化硅(SiC)芯片制造项目是广东“强芯工程”重大项目,总投资额为75亿元,占地150亩,一期投资...  [详内文]

安森美宣布成立模拟与混合信号事业部

作者 |发布日期 2024 年 03 月 13 日 17:20 | 分类 企业
3月13日,安森美(onsemi)宣布成立模拟与混合信号事业部(AMG),并由新任命的事业部总裁Sudhir Gopalswamy领导。该事业部将专注于扩大安森美行业领先的电源管理和传感器接口产品组合,解锁价值193亿美元的新增市场,并加速公司在汽车、工业和云端市场的增长。 此外...  [详内文]

SiC/GaN外延设备厂爱思强2023年业绩创新高

作者 |发布日期 2024 年 03 月 13 日 15:47 | 分类 企业
近日,爱思强公布2023全年及四季度业绩报告。尽管外部环境较为低迷,但在G10系列新设备及其他设备产品的推动下,2023全年爱思强仍实现了订单量、销售额和利润的大幅增长。 01、2023年,订单、营收、利润创新高 2023全年,爱思强实现总营收6.299亿欧元(约合人民币49....  [详内文]

营收可达数百万美元,纳微GaN/SiC技术助攻AI数据中心

作者 |发布日期 2024 年 03 月 12 日 17:43 | 分类 企业
3月11日,纳微半导体(下文简称“纳微”)公布了其AI数据中心技术路线图,为满足预计在未来12-18月内类似指数级增长的AI功率需求,路线图中的产品功率将提高3倍。 纳微表示,传统CPU一般只需要300W,而数据中心交流/直流电源的功率大小通常等于10个CPU功率总和或3,000...  [详内文]

SiC功率模块封装材料厂商道宜半导体完成数千万融资

作者 |发布日期 2024 年 03 月 12 日 17:39 | 分类 企业
今年2月,上海道宜半导体材料有限公司(以下简称道宜半导体)完成数千万元PreA++轮融资,本轮融资由元禾原点领投,多家产业机构跟投。本轮资金将用于产能扩充及产品研发。 图片来源:拍信网正版图库 官网资料显示,上海道宜半导体材料有限公司成立于2020年5月,是一家专业从事各种半导...  [详内文]

长城汽车与意法半导体达成SiC战略合作

作者 |发布日期 2024 年 03 月 12 日 17:38 | 分类 企业
3月8日,芯动半导体与意法半导体在深圳签署碳化硅(SiC)战略合作协议。 source:芯动半导体 作为长城汽车生态体系成员,芯动半导体成立于2022年11月,主营业务为功率半导体模块及分立器件的研发、设计、封装、测试和销售,目的是为长城汽车新能源市场提供核心技术和产品支撑,从...  [详内文]

2家企业SiC MOSFET通过车规级可靠性认证

作者 |发布日期 2024 年 03 月 12 日 17:14 | 分类 企业
3月11日,瞻芯电子和蓉矽半导体均有SiC MOSFET产品通过了车规级可靠性认证。 瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品 瞻芯电子表示,公司开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualifi...  [详内文]

30万片,同光股份SiC衬底和粉体项目通过验收

作者 |发布日期 2024 年 03 月 11 日 18:00 | 分类 企业
在泰科天润北京项目、天域半导体SiC外延项目、嘉兴斯达SiC芯片研发及产业化项目等SiC相关扩产项目近日相继传出利好消息后,同光股份SiC衬底项目也在近日取得新进展。 source:同光股份 同光股份SiC项目新进展 近日,河北同光半导体股份有限公司(以下简称同光股份)旗下的...  [详内文]

SiC/GaN外延厂百识电子完成A+轮投资

作者 |发布日期 2024 年 03 月 11 日 17:50 | 分类 企业
3月11日,南京百识电子科技有限公司(下文简称“百识电子”)宣布,公司已完成A+轮融资,多家知名机构参投。 据介绍,百识电子成立于2019年,可提供6吋碳化硅(SiC),以及6吋、 8吋硅基氮化镓(GaN-on-Si)专业外延代工服务。 百识电子指出,2023年公司外延工艺和技术...  [详内文]

东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块

作者 |发布日期 2024 年 03 月 11 日 11:01 | 分类 企业
3月6日,东芝电子元件及存储装置株式会社(下文简称“东芝”)宣布,公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅(SiC)1700 V、漏极电流(DC)额定值为250 A的SiC MOSFET模块“MG250V2YMS3”,并扩大了产品阵容。 source:东芝 据介绍,新产品M...  [详内文]