超1.5亿元融资，氧化镓领域再获资本加持

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 28 日 14:31 | 分类 企业 , 氧化镓 | edit

7月27日科创板日报披露，北京铭镓半导体有限公司顺利完成金额超1.5亿元Pre-B轮股权融资，本轮由千曦资本、芯禾资本、安阳经开集团、粤科金融、天鹰资本、洪泰基金联合出资入局，继续加码超宽禁带半导体材料研发与产能建设。 铭镓半导体2020年成立，核心聚焦第四代超宽禁带半导体氧化镓...  [详内文]

功率半导体大厂架构重组！回应产能供应新情况

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 28 日 14:24 | 分类 企业 , 功率 | edit

功率半导体市场正在经历一轮结构性变化。AI算力集群的快速扩张带动了从电网到芯片的整条供电链路的需求增长，碳化硅和氮化镓等宽禁带材料也从实验室走向规模化量产和商用落地，与此同时中国新能源汽车渗透率持续攀升。这些趋势叠加在一起，对功率半导体器件的效率、功率密度和可靠性提出了新的要求。...  [详内文]

上市刚满月就砸近2亿盖厂，这家SiC新贵在急什么？

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 28 日 14:13 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

7月27日晚间，刚在港股挂牌满月，基本半导体就搞了个大动作：直接抛出1.933亿元的大单，要在深圳坪山砸出一个近6万平方米的车规级碳化硅（SiC）封装基地。 这是基本半导体于今年7月初在港交所主板挂牌、净募资约7.7亿港元后，落地的首个大型固定资产投资项目。公告显示，项目资金由公...  [详内文]

镓仁半导体氧化镓厚膜外延材料完成器件级验证

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 27 日 15:17 | 分类 氧化镓 | edit

近期，杭州镓仁半导体自研自产的氧化镓（β-Ga₂O₃）同质厚膜外延片，在西安电子科技大学实验室完成肖特基势垒二极管（SBD）无终端结构器件流片制备，各项电学性能参数顺利通过可靠性测试验证，标志其氧化镓外延材料达到功率器件量产可用水准。 氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料，具备超宽...  [详内文]

布局GaN板级电源技术，宏微科技子公司与合肥工业大学达成合作

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 27 日 15:14 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

近日，据宏微科技官网发布消息，7月17日江苏宏微科技股份有限公司子公司#上海宏微爱赛半导体有限公司，与合肥工业大学正式签署校企合作协议，双方聚焦AI数据中心AIDC板级供电痛点，联合攻关基于GaN HEMT氮化镓高电子迁移率晶体管的三级电源核心技术。 随着AI服务器单机功耗、机柜...  [详内文]

20亿美元！传两家大厂签订碳化硅长约

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 27 日 15:11 | 分类 碳化硅SiC | edit

据《经济日报》7月27日报道，市场消息指出，电源巨头厂商台达电子与全球功率半导体龙头德国英飞凌（Infineon）已签署总金额高达20亿美元（约合新台币650亿元）的碳化硅（SiC）长期供货协议（LTA）。这是台达电子近年来签署的规模最大的材料长期供货协议。 针对该项市场传闻，台...  [详内文]

国产SiC技术出海！助力韩厂切入高压功率赛道

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 24 日 14:07 | 分类 功率 , 碳化硅SiC | edit

7月23日，纳微半导体与韩国MagnaChip（美格纳半导体）联合官宣达成碳化硅技术战略授权合作，纳微向后者授予第四代、第五代GeneSiC™碳化硅完整专利与架构使用权，帮助MagnaChip正式切入高压、超高压碳化硅功率器件赛道。 根据双方协议条款，本次授权核心为纳微自研沟槽辅...  [详内文]

最高8.55亿元，这家厂商宣布拿下磷化铟衬底长期供货订单

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 24 日 14:04 | 分类 企业 , 磷化铟 | edit

7月23日晚间，云南锗业发布重大经营合同公告，公司控股子公司云南鑫耀半导体与下游客户签署磷化铟晶片（衬底）供货协议，合同含税总金额区间为5.7亿元至8.55亿元，上限金额达8.55亿元，履约周期覆盖2026年8月1日至2027年12月31日，产品将按计划分批交付。 图片来源：云...  [详内文]

化合物半导体设备厂商，完成数千万元战略融资

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 24 日 13:59 | 分类 企业 , 化合物半导体 | edit

近日，上海邦芯半导体科技有限公司完成一轮数千万元战略融资，本轮投资方为初芯控股集团，资金将重点用于第三代半导体刻蚀、薄膜沉积设备迭代研发与产能扩充，加速国产前道工艺设备客户端批量导入。 邦芯半导体2020年成立，为国家级专精特新“小巨人”企业，核心聚焦硅基特种工艺设备与化合物半导...  [详内文]

英飞凌发布抗辐射栅极驱动芯片，助力GaN“上天”

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 23 日 17:27 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

英飞凌近日宣布推出RIC70115抗辐射栅极驱动芯片。该产品专为氮化镓功率半导体控制设计，同时兼容硅基器件，主要面向卫星及其他高可靠性航天应用场景。 太空中的辐射环境对半导体器件构成双重威胁：累积性辐射损伤会逐步劣化器件性能，而高能粒子引发的单粒子效应则可能导致电路瞬间误动作。 ...  [详内文]