近期，杭州镓仁半导体自研自产的氧化镓（β-Ga₂O₃）同质厚膜外延片，在西安电子科技大学实验室完成肖特基势垒二极管（SBD）无终端结构器件流片制备，各项电学性能参数顺利通过可靠性测试验证，标志其氧化镓外延材料达到功率器件量产可用水准。
氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料，具备超宽带隙、高击穿场强等优势，在高压快充、光伏逆变器、电网输电设备、新能源汽车车载功率模块等场景具备显著应用潜力，而高质量同质外延片是制造高性能氧化镓功率器件的核心基底。本次验证采用无终端简单结构SBD芯片，重点考核外延层厚度均匀性、晶体质量、载流子浓度控制、界面缺陷密度等关键指标，直接检验衬底与外延薄膜的工艺稳定性。
西安电子科技大学在氧化镓器件设计、工艺流片与可靠性表征领域具备深厚技术积累，本次校企联合测试相当于完成了材料从实验室样品到器件可使用的关键一关。镓仁半导体可依托本次验证结果，后续迭代优化外延层掺杂精度、表面平整度，推进带边缘终端保护结构的高压大功率SBD、MOSFET器件开发，向下游功率器件厂商送样导入。
从产业进度来看，当前国内氧化镓产业仍处于材料打磨与器件小批量试产阶段，同质厚膜外延片良率、一致性是规模化放量最大瓶颈。本次器件验证落地，夯实了镓仁半导体在氧化镓外延材料环节的国产替代能力，后续将逐步完善氧化镓单晶衬底、外延片成套产品矩阵。
（集邦化合物半导体整理）
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