AI散热革命来袭!6家国内金刚石企业密集突破

作者 | 发布日期 2026 年 05 月 11 日 15:09 | 分类 化合物半导体

2026年3月,英伟达在GTC大会上官宣,下一代Vera Rubin架构GPU将全面采用“金刚石—铜复合散热+液冷”方案;AMD也同步推出搭载金刚石冷却系统的MI350X AI服务器,两大巨头的动作,正式将金刚石从实验室材料推高至AI算力散热的“标配”核心地位。

全球市场需求爆发的背后,是中国金刚石产业链的集体崛起,近期从装备研制、大尺寸晶圆量产到产能扩张,一系列关键突破密集落地,加速构建自主可控的产业生态。

01、国产大功率MPCVD设备实现核心突破

国产金刚石MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)设备率先实现核心突破。

近日,中国电科第四十八研究所(48所)中电科三代半(湖南)公司成功研制出大功率金刚石MPCVD首台样机,标志着我国在超宽禁带半导体装备关键技术领域取得重大进展。

图片来源:48所中电科

针对大尺寸金刚石生长效率低、应力高、均匀性差等行业共性难题,该样机突破了大面积高均匀等离子体场构建、高功率微波传输耦合、大尺寸晶圆应力控制等核心技术,目前已进入用户应用验证阶段。

02、大尺寸金刚石晶圆集体量产

在设备突破的同时,大尺寸金刚石晶圆量产成果集中涌现。

4月13日,中国电科产业基础研究院宣布,自主研发的大尺寸低成本自支撑金刚石晶圆实现规模化量产。研发团队攻克低应力生长、超精细加工、自支撑结构制备等关键技术,产品尺寸规格、材料性能、成本控制均达行业先进水平,已在激光器、微波器件等领域完成应用验证,可高效解决高功率器件散热瓶颈。

紧随其后,深圳市超晶热导技术有限公司推出12英寸CVD金刚石晶圆,核心技术完全自主可控。该产品攻克了大尺寸晶圆生长均匀性差、内部应力难控制等难题,热导率超1800W/(m·K),可适配第三代半导体散热、AI芯片、新能源汽车功率模块等多场景,填补了国内大尺寸光学级金刚石晶圆的空白。

图片来源:超晶热导

03、多条产线落地,产业化进程加速

大尺寸产线投产提速,推动金刚石产业化进程全面加快。近日,#乾晟超硬材料(东莞)有限公司8英寸MPCVD金刚石生产线全线投产,并同步与两家产业链核心企业完成战略签约。该产线搭载自研10千瓦以上大功率MPCVD设备,将长晶生长速率从0.5μm/h提升至7–15μm/h,生产效率提升数十倍,产品热导率超2000W/(m·K),可直接用于高功率半导体散热基板、激光窗口等场景。

图片来源:乾晟超硬材料(东莞)有限公司

近日,中科瑞晶(内蒙古)新材料科技有限公司一期项目完成全部设备调试,首批MPCVD金刚石产品成功下线,预计7月正式投产。该项目总投资1.1亿元,一期配备20套MPCVD生产线、5套碳纳米管生产线,全部建成后将形成60台MPCVD设备的产业规模。

4月22日,四方达发布重磅公告,公司控股子公司河南天璇半导体科技有限公司已于4月21日与新疆沙雅县人民政府正式签署投资协议,拟斥资约4.5亿元,在当地建设年产2.5万片CVD金刚石产业化项目。项目选址沙雅县循环经济工业园区,建设周期2年,建成后将进一步扩充国产功能性金刚石产能,助力半导体散热产业链完善。

图片来源:四方达公告截图

04、国产金刚石迎爆发期,支撑高端产业发展

从装备自主研发到大尺寸晶圆量产,从头部企业突破到多地产能落地,我国金刚石产业正迎来“技术+产能”双轮驱动的爆发期。目前,国产金刚石产品热导率已达2000W/(m·K)以上,约为铜的5倍,性能对标国际先进水平,且规模化量产带动成本持续下探。随着AI芯片功耗持续攀升,传统铜铝散热方案已接近瓶颈,金刚石作为“终极散热材料”,供需缺口持续扩大。

在此背景下,国产金刚石产业链的密集突破,不仅能承接全球AI散热需求,打破海外技术垄断,更将推动我国在第四代半导体材料领域形成先发优势,为AI算力、第三代半导体、激光光学等战略产业提供坚实的材料支撑。

(集邦化合物半导体 林晓 整理)

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