近日，美国知名化合物半导体晶圆厂商AXT通过官方渠道正式宣布启动普通股公开发行计划，本次募资核心用途明确，将全部优先用于支持其全资子公司——北京通美晶体技术有限公司扩大磷化铟（InP）衬底产能，产品主要面向全球市场出口，重点服务AI数据中心、高速光通信等高端领域，缓解当前全球InP衬底供需紧张的局面。
根据AXT官方公告，本次普通股公开发行于4月22日顺利完成，初始计划发行8,560,311股普通股，定价为每股64.25美元，基础募资规模约5.5亿美元；随后承销商全额行使超额配售权，最终总募资额达6.325亿美元，超出预期募资目标，充分体现了资本市场对InP衬底赛道及AXT产能布局的高度认可。
公告明确指出，本次募资净额将优先投入北京通美InP衬底产线的扩建工程，其余部分将用于新型化合物半导体材料研发、补充企业流动资金及一般经营用途。
资料显示，AXT深耕化合物半导体衬底材料领域多年，是全球第二大InP衬底供应商，市场占有率约35%，仅次于日本住友化学。
值得注意的是，AXT全球100%的InP衬底产能均集中于北京通美，后者作为其在华核心生产基地，凭借成熟的生产技术、完善的供应链体系及成本优势，成为AXT布局全球InP市场的核心支柱，也是国内高端化合物半导体衬底领域的标杆企业。
近年来，随着AI算力需求爆发、5G/6G光通信技术迭代，InP衬底的市场需求呈现爆发式增长。InP作为高速光芯片、射频芯片的核心基础材料，广泛应用于AI数据中心光模块、高端通信设备、量子通信等领域，目前全球InP衬底供需缺口显著，头部厂商订单爆满。
AXT此前披露数据显示，公司当前InP衬底订单积压已超6000万美元，为应对市场需求，其产能已较2025年底提升25%，本次募资扩产后，计划在2026年底实现InP衬底产能翻倍，2027年再次翻倍，进一步扩大市场份额。
业内人士表示，北京通美目前已具备成熟的InP衬底规模化生产能力，本次扩产有助于进一步完善其产能布局，更好地匹配全球市场的增长需求。
（集邦化合物半导体整理）
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