2026年一季度，国内第三代半导体（碳化硅SiC/氮化镓GaN）产业呈现 “冰火两重天” 格局。受益于5G基站建设与新能源汽车车载电源（OBC）需求爆发，GaN射频企业业绩高增；而SiC功率赛道受价格战、产能爬坡折旧压力影响，多数企业利润承压。
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GaN射频领跑，设备与车规SiC兑现红利
1、中瓷电子受益5G与卫星互联网
中瓷电子以79.05%的营收增速领跑三代半企业，核心动力来自子公司博威的GaN射频器件业务。作为国内GaN射频领军企业，博威产品批量供货国内5G宏基站与卫星互联网终端，叠加军工电子订单放量，驱动中瓷电子营收规模突破10亿元大关。同时，公司SiC功率产品在头部车厂OBC实现批量供货，成为第二增长曲线。
2、扬杰科技车规突破，盈利韧性凸显
扬杰科技Q1营收、净利润双增，核心得益于SiC功率器件的车规级突破。公司首条SiC芯片产线已实现量产，覆盖650V-1700V全电压平台，车规级功率模块封装项目顺利投产，并获得多家Tier1客户订单。在新能源汽车800V平台渗透加速背景下，SiC模块需求持续旺盛，叠加工业光伏领域刚需，推动公司SiC业务收入同比增长超50%，成为业绩核心引擎。
3、中微公司GaN MOCVD市占领先，利润弹性释放
中微公司Q1净利润同比大增197.20%，虽包含出售拓荆科技股权的一次性收益（约3.97亿元），但扣非净利润仍同比增长60.09%，主业增长扎实。公司GaN MOCVD设备在国内市占率领先，受益于GaN射频、Mini LED、功率器件产能扩张，订单持续饱满；SiC/GaN功率用MOCVD设备已进入客户验证阶段，有望在下半年实现批量出货，打开长期成长空间。
SiC衬底与IDM产能爬坡，折旧与价格战拖累利润
1、SiC衬底：天岳先进由盈转亏
天岳先进作为国内SiC衬底龙头，Q1营收同比下滑10.41%，归母净利润亏损6051万元，同比由盈转亏。核心原因是SiC衬底行业价格战持续，6英寸衬底价格同比下降超30%，叠加8英寸产线产能爬坡，单位成本高企，毛利率持续为负。不过，公司6/8英寸衬底出货量环比增长3.58%，随着产能利用率提升与良率改善，后续盈利有望边际修复。
2、三安光电转型阵痛，传统业务+新业务双承压
三安光电Q1营收、净利润双双大幅下滑，处于转型阵痛期。一方面，传统LED业务需求低迷，价格持续下跌，营收同比下滑超40%；另一方面，SiC衬底、射频滤波器等新业务仍处于产能爬坡阶段，湖南三安SiC产线折旧费用高企，且客户认证周期长，尚未实现盈利，持续拖累整体利润。不过，公司SiC器件已通过部分车规客户验证，射频滤波器在通信基站领域实现小批量供货，长期成长逻辑不变。
3、斯达半导折旧压力激增，短期利润承压
斯达半导Q1营收同比下滑6%，归母净利润同比暴跌74.32%，核心原因公司芯片制造全资子公司嘉兴斯达微电子有限公司多个产品线顺利投产但还处于产能爬坡期，本期折旧费用同比增加7543.39万元，叠加固定资产折旧摊销上升，阶段性成本高企。同时，下游新能源汽车需求短期承压，SiC模块价格略有下滑，进一步挤压利润空间。不过，公司SiC模块已批量供货国内主流新能源车企，随着产能利用率提升与成本下降，下半年业绩有望回暖。
分化将持续，技术突破与成本控制成关键
2026年Q1国内三代半企业业绩分化，本质是赛道景气度、技术成熟度、产能释放节奏的综合体现。
短期来看，GaN射频受益于5G基站建设与卫星互联网发展，高景气度将持续；SiC功率器件在新能源汽车800V平台、工业光伏领域的渗透加速，车规级认证突破的企业将率先兑现红利；SiC衬底行业价格战仍将持续，具备规模效应与技术优势的企业有望在洗牌中胜出。
长期来看，第三代半导体是国内半导体产业实现弯道超车的关键赛道，政策支持力度持续加大，下游应用场景不断拓展。企业需聚焦技术突破（如SiC衬底良率提升、GaN器件可靠性优化）、成本控制（如产能利用率提升、规模化生产降本）、客户认证（如车规级、工业级认证）三大核心，方能在激烈的市场竞争中占据一席之地。
（集邦化合物半导体 林晓 整理）
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