近日，据宏微科技官网发布消息，7月17日江苏宏微科技股份有限公司子公司#上海宏微爱赛半导体有限公司，与合肥工业大学正式签署校企合作协议，双方聚焦AI数据中心AIDC板级供电痛点，联合攻关基于GaN HEMT氮化镓高电子迁移率晶体管的三级电源核心技术。
随着AI服务器单机功耗、机柜功率密度大幅抬升，AIDC供电链路分为三级架构，最贴近GPU负载的三级48V转6V板载降压环节，是决定算力卡供电效率、热损耗与运行稳定性的关键瓶颈，对功率器件高频特性、导通损耗提出极高要求。氮化镓GaN HEMT具备开关速度快、寄生参数小、能效占优的先天优势，是当前高端算力板载电源的最优器件方案。
宏微科技已依托子公司宏微爱赛完成650V GaN HEMT芯片自主研发，此前仅完成AIDC一级、二级前端供电器件产品落地，本次校企定向研发将补齐三级板载电源技术短板，打通AI数据中心从前端配电到板级负载的全链路功率半导体方案能力。
合作过程中，企业负责器件工程化落地与产品产业化，合肥工业大学侧重拓扑架构、控制算法与系统能效仿真优化，加速GaN器件在高密度算力电源场景的国产化替代进程。
（集邦化合物半导体整理）
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