近期,深圳平湖实验室的论文《肖特基型p-GaN栅HEMT中双跨导峰与单跨导峰的演变:部分耗尽与完全耗尽p-GaN层的影响》被IEEE ISPSD确认接收,论文第一作者为刘轩博士,通讯作者为万玉喜、David Zhou。
IEEE ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、工艺...  [详内文]
深圳平湖实验室GaN课题组迎新成果 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 23 日 14:29 | 分类 氮化镓GaN |