5月23日，苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“东微半导”）发布公告称，公司核心技术人员刘磊先生因个人职业发展原因申请辞去核心技术人员职务，辞职后将不再担任公司任何职务。
图片来源：东微半导体公告截图
东微半导在公告中明确表示，刘磊先生的离职不会对公司的技术研发、产品创新、核心竞争力与持续经营能力产生不利影响。东微半导强调，公司高度重视人才队伍建设和研发工作，已组建了经验丰富、结构合理的高素质研发团队。截至2024年末，公司研发人员数量为69人，占公司总人数的43.67%。
据悉，2025年第一季度，东微半导实现营业收入2.83亿元，同比增长63.41%；归母净利润780.57万元，同比增长81.78%，显示出公司在营收和利润方面的强劲增长。
在5月9日的机构调研中，东微半导表示未来将在中低压屏蔽栅、IGBT、模块和第三代半导体等品类上推出更多产品，产品结构将从单品大品类布局走向更加多元化。
据悉，东微半导在#第三代半导体 领域，尤其是1200V SiC功率器件平台的研发和应用拓展方面，取得了显著进展。该公司已完成第二代1200V SiC MOSFET的流片，器件静态参数达标，正在进行平台搭建以及代表产品稳定量产。
在产品应用方面，东微半导的SiC MOSFET产品已广泛应用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等领域。这些应用领域不仅涵盖了新能源汽车和光伏等热门行业，还扩展到了通信和数据中心等对功率器件性能要求较高的领域。
（集邦化合物半导体 EMMA 整理）
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