“先为科技”官微消息，6月16日无锡先为科技有限公司首台 GaN MOCVD BrillMO 外延设备正式发往国内头部的化合物半导体企业。
图片来源：先为科技
先为科技表示，此次发货的 GaN MOCVD BrillMO 外延设备，各项性能均达到行业领先水平。该设备运用特有的温场和流场设计，不仅能实现高质量的成膜效果，为功率芯片、射频芯片、Micro LED 芯片的GaN外延制造提供坚实保障，而且在产能上表现卓越，能够大幅提升生产效率，同时有效降低了使用成本，为客户提供优异的GaN外延加工解决方案。
作为先为科技的创新之作，该设备通过潜心钻研的正向自主研发，具备完全的自主知识产权，能够有力地推动化合物半导体外延设备的自主化。此次 GaN MOCVD 外延设备的发货，不仅是先为科技自身发展的重大突破，更是先导集团在半导体领域“装备自主”战略推进的又一重要成果体现。
资料显示，先为科技是一家致力于化合物半导体外延设备的研发、制造与销售的创 新型和科技型企业，为全球客户提供高端化合物半导体外延设备与服务。
先为科技是先导集团在半导体产业的关键企业，公司依托集团在高端装备制造领域的深厚积累，在化合物半导体外延设备领域，拥有正向研发且知识产权自主可控的GaN MOCVD外延设备、SiC Epi外延设备，应用于功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片及碳化硅功率芯片的生产制造，各项性能均达到行业领先水平，为客户提供高可靠性、高性能的量产外延装备及全生命周期解决方案。
（集邦化合物半导体整理）
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