近日，Wolfspeed宣布推出业内首个商业化10kV SiC功率MOSFET。此产品为高压电力电子系统设计带来更多架构自由，能大幅提升系统可靠性与耐久性，为电网升级、工业电气化、AI数据中心供电等高要求场景提供关键技术支持。
10kV SiC MOSFET树立了耐久与性能新标杆。通过时间相关介质击穿寿命分析，其在连续20V 栅极偏置电压下可运行15.8万年。作为首个解决10kV SiC MOSFET双极退化问题的器件，它保障了包括体二极管导通在内的可靠性，对中压UPS、风电和固态变压器应用意义重大。
同时，10千伏下SiC技术带来前所未有的设计灵活性，显著改善系统体积、重量、可靠性与拥有成本：系统成本降低约30%，可简化架构，整合多单元设计，缩减逆变器拓扑结构；功率密度提升超300%，开关频率从600Hz提至10,000Hz，简化电路、缩小磁性元件；系统级热需求降低最高50%，转换效率达99%，热管理更简单高效。
此外，该技术为脉冲功率应用开辟新领域。新技术上升时间不到10纳秒，可用基于SiC MOSFET的固态开关取代传统机械火花隙开关，消除电弧，实现高效能量传输，提高定时精度，降低高性能脉冲功率应用尺寸与系统复杂性，涉及地热能、AI数据中心发电等多个领域。
Wolfspeed首席商务官Cengiz Balkas博士表示，这是近30年垂直集成晶体生长等卓越技术的成果。10kV MOSFET商业化让此前在该电压下原型验证的客户能快速量产，缩短上市周期，开启并实现高压碳化硅新时代。
（集邦化合物半导体整理）
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