近期，媒体报道Resonac（原昭和电工公司）和日本东北大学正探索使用由硅晶片制造过程中产生的污泥和二氧化碳制成的SiC粉末作为SiC单晶材料的原材料。
据悉，双方目前已经完成了基础研究，并已开始针对实际应用的全面研究。在基础研究中，东北大学在其碳回收示范研究中心使用微波加热硅污泥和二氧化碳合成了SiC粉末，而Resonac则致力于将SiC粉末应用于SiC单晶衬底。
研究人员透露，如果这项技术成功商业化，SiC功率半导体不仅有助于产品节能，还可以减少制造过程中的二氧化碳排放、硅污泥和二氧化碳的回收，全面减少对环境的影响。
资料显示，Resonac正在加速推进8英寸碳化硅晶圆的产业化。2024年9月，该公司位于山形县东根市的“山形工厂”正式动工新建5832m²的SiC晶圆大楼（衬底+外延），预计在2025年第三季度竣工，同年量产8 英寸SiC衬底 。Resonac 8英寸SiC外延片已做到与现有6英寸产品同等级品质，样品评估进入商业化最后阶段；同时，该公司正通过优化工艺参数和用料来压缩生产时间、提高良率，以使8英寸的综合成本低于6英寸。
2024年9月，Resonac与法国Soitec达成协议，将SmartSiC™键合衬底技术引入8英寸平台。Resonac提供单晶SiC，Soitec负责键合与薄膜化，有望把单片材料成本降低50%以上。
（集邦化合物半导体整理）
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