近日，九峰山实验室宣布在磷化铟（InP）材料领域取得重大技术突破，成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺。
图片来源：九峰山实验室（图为九峰山实验室6英寸磷化铟PIN探测器外延片）
该成果不仅将关键性能指标提升至国际领先水平，更是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备上实现从核心设备到关键材料的全面国产化，为我国光电子器件产业的规模化发展提供了有力支撑。
作为光通信、量子计算等前沿领域的核心材料，磷化铟（InP）的产业化应用一直受限于大尺寸制备的技术瓶颈。长期以来，行业主流停留在3英寸工艺阶段，高昂的生产成本难以满足光通信、激光雷达、太赫兹通信等下游产业的爆发式增长需求。
九峰山实验室此次的突破在于，依托国产MOCVD设备和国内合作伙伴云南鑫耀的6英寸磷化铟衬底技术，成功解决了大尺寸外延均匀性控制这一世界性难题。
其自主研发的6英寸外延生长工艺，使得FP激光器量子阱PL发光波长片内标准差小于1.5nm，组分与厚度均匀性小于1.5%；PIN探测器材料本底浓度小于4×10¹⁴cm⁻³，迁移率大于11000cm²/V·s，这些关键性能指标均达到国际领先水平。
此项技术突破有望将国产光芯片的制造成本降低至3英寸工艺的60%至70%，显著增强我国光芯片的市场竞争力。
九峰山实验室本次技术突破的另一大亮点是其协同创新模式。通过联合国内上下游产业链，实验室实现了从衬底、外延设备到关键工艺的“全链路”突破。其中，云南鑫耀作为合作方，其6英寸高品质磷化铟单晶片的产业化关键技术已取得突破，即将进入量产阶段。
这一模式对促进我国化合物半导体产业链的协同发展、奠定产业自主可控的基础具有深远影响。未来，九峰山实验室将继续优化6英寸InP外延平台，并推动下游产品验证，为我国光电子产业的升级贡献力量。
（集邦化合物半导体整理）
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