7月30日，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司年产100万毫米碳化硅单晶项目在山西太原正式启动，该项目由中国电子科技集团有限公司与山西省人民政府战略共建，旨在打造国内领先的碳化硅单晶生长产业基地。
图片来源：山西转型综改示范区
项目投产后，将新增100万毫米碳化硅单晶和30万片碳化硅衬底的产能，并快速实现8英寸碳化硅衬底的产业化和12英寸碳化硅衬底的工程化应用。
另外，据太原新闻网消息，#烁科晶体 二期项目近期已全面投产，新增每年20万片碳化硅衬底的产能。据悉，二期项目总投资5.2亿元，在中国电科（山西）碳化硅材料产业基地原有地块内新建碳化硅单晶生长车间、购置相关生产设备，并在预留区新增晶体生长设备。
行业人士表示，二期项目的投产为年产100万毫米碳化硅单晶项目提供了坚实的基础，确保了公司在碳化硅材料领域的持续增长和技术领先。
公开资料显示，烁科晶体成立于2018年10月，是国内从事第三代半导体材料碳化硅（SiC）生产和研发的领军企业。作为央企中国电子科技集团有限公司“十二大创新平台”之一，烁科晶体在国内率先完成了4英寸、6英寸、8英寸高纯半绝缘SiC单晶衬底的技术攻关。在近年来的发展过程中，公司逐渐形成了SiC粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。
同时，烁科晶体在碳化硅导电型衬底领域也是全球的佼佼者，尤其是在8英寸碳化硅衬底领域成绩斐然：2021年9月制备出国内首块8英寸碳化硅单晶，2022年3月又率先加工出8英寸碳化硅单晶衬底，2023年再次率先将8英寸碳化硅衬底厚度降至350微米。
图片来源：烁科晶体
此外，2024年12月，烁科晶体全球首发12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同步研制成功12英寸N型碳化硅单晶衬底。这一技术突破不仅展示了公司在大尺寸碳化硅衬底领域的领先地位，还为未来更高性能、更低功耗的半导体器件的研发和生产奠定了坚实基础。
此外，烁科晶体还在碳化硅基底刻蚀制备衍射光波导镜片的核心技术上取得进展，推动碳化硅刻蚀衍射光波导产品的研发与量产。
在市场拓展方面，烁科晶体已与欧洲、日本、韩国、中国台湾等国家和地区的客户签订了长期订单，国际市场前景广阔。
（集邦化合物半导体 EMMA 整理）
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