在全球能源转型与科技升级的浪潮下，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体技术凭借高功率密度、低能耗、小体积等卓越特性，正成为驱动各行业能效提升与技术革新的核心引擎，在AI数据中心供电、新能源汽车电力电子系统等关键领域展现出巨大的应用价值，推动着相关产业向更高效、更绿色的方向迈进。
近日，多家企业宣布其第三代半导体技术在电力电子领域的最新动态，包括安森美与英伟达在AI数据中心供电方案的合作、英诺赛科与联合电子在新能源汽车电力电子系统的合作、浩思动力在增程发电系统的突破。
01、安森美携手英伟达共推向800V直流供电架构转型
7月30日，据安森美官微消息，安森美宣布与英伟达达成合作，共同推动向800V直流（VDC）供电架构转型。这一变革性解决方案将推动下一代人工智能（AI）数据中心在能效、密度及可持续性方面实现显著提升。
图片来源：安森美
AI数据中心对电力供应的稳定性和能效要求极高，安森美在碳化硅技术方面具有深厚经验，为固态变压器、电源单元、800VDC配电及核心供电提供业界领先的解决方案。
其智能电源产品组合通过在供电全环节提供高能效、高密度电源转换技术（从变电站的高压交流/直流转换，到处理器级的精准电压调节），为下一代AI数据中心发挥关键作用。
此次与英伟达的合作，将充分发挥双方在各自领域的技术优势，通过采用先进的第三代半导体技术，预计可明显减少AI数据中心的整体能源损失，提升能效，为AI数据中心的高效、稳定运行提供有力支撑，推动数据中心电力供应架构的升级。
02、英诺赛科与联合电子成立氮化镓技术联合实验室
7月30日，英诺赛科宣布与联合汽车电子（简称：联合电子）宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方在联合电子（苏州研发中心）举行了联合实验室揭幕仪式。
图片来源：英诺赛科
新能源汽车行业正处于快速发展阶段，对电力电子系统的性能要求日益提高，而氮化镓器件的高功率密度、低导通电阻等特性恰好能满足这一需求。
据了解，英诺赛科是全球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商，已开发出业界性能最高、可靠性最高的GaN工艺，氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压应用，电压范围涵盖15V至1200V，并拥有全球最大的8英寸产能。
联合电子成立于1995年，是汽车电子领域的全球领导者，也是宽禁带功率器件应用领域的技术领导者，已开发出基于GaN的高功率密度车载充电机。联合电子拥有汽油发动机管理系统、变速箱控制系统、先进网联和电力驱动系统四个业务板块，以及悬架控制、热管理系统、软件与服务、智能传感器等创新业务。
此次合作将充分利用各自在GaN领域的优势，双方成立的联合实验室将聚焦新能源汽车的电源和动力系统，借助氮化镓技术，研发出更小体积、更轻量的产品，提升新能源汽车的整体性能和续航能力，为新能源汽车产业的发展注入新的活力。
03、浩思动力首发氮化镓增程发电系统
同日，浩思动力在官微宣布，首发氮化镓增程发电系统，该系统搭载了其自研的氮化镓功率模块。“冰刃”氮化镓功率模块超高功率，提高增程充电速度，快充升级，此外增程充电效率最高可达95%，WLTC效率可达94%，续航节能显著。这一创新成果有望改善用户在新能源汽车使用过程中的续航焦虑问题，进一步丰富了新能源汽车的动力解决方案。
图片来源：浩思动力
浩思动力成立于2024年，总部在伦敦，由吉利旗下动力公司Aurobay极光湾科技和雷诺旗下动力公司Horse科技合并而成，其中吉利持股45%、雷诺集团持股45%、沙特阿美(Aramco)持股10%。
浩思动力拥有17家生产制造基地、5大研发中心，客户包括雷诺集团、吉利汽车、沃尔沃汽车、宝腾汽车、日产汽车等知名整车厂。其产品涵盖发动机、变速箱、混合动力平台覆盖增程、醇氢可替代燃料等动力技术路线。
04、结语
第三代半导体凭借更宽的禁带宽度（碳化硅禁带宽度约3.26eV，氮化镓约3.4eV，远高于硅的1.12eV），具备了耐高温、耐高压、高频、高效等颠覆性特性。在电力系统中，第三代半导体技术正不断优化能源的生产、传输、分配和使用全过程，它不仅能降低能源损耗，提高能源利用效率，助力全球节能减排目标的实现，还能为新型电力设备和系统的研发提供坚实的技术支撑，推动电力系统向更智能、更绿色、更可靠的方向演进。
未来，随着外延生长、器件制造等工艺的不断成熟，第三代半导体的成本将逐步降低，其应用场景有望从目前的高端领域向工业控制、家电等大众市场普及。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。