近期碳化硅（SiC）产业链迎来多重突破，国内企业在市场拓展与技术研发上齐头并进。天岳先进成功打开日本市场，开始批量供应碳化硅衬底材料；广州粤升在8英寸碳化硅外延设备研发上取得突破性进展。
7月29日，根据天岳先进官微消息，天岳先进宣布已经开始向日本市场批量供应碳化硅衬底材料。2024年公司来自境外的收入为8.40亿元，同比增长104.43%，占总营收比例为47.53%，并表示未来这一比例有望继续提升。
图片来源：天岳先进
天岳先进在碳化硅领域具有深厚技术经验，目前已实现8英寸导电型衬底的批量供应并率先实现海外客户批量销售，并在去年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，以及向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底。
7月中旬，天岳先进与舜宇奥来正式签署了战略合作协议，进一步深化布局AR眼镜领域，双方将聚焦碳化硅光波导镜片领域展开深度合作。
在产能方面，天岳先进已经构建了山东济南、上海临港两大主要碳化硅半导体材料生产基地，现在年产能超过40万片。
其中，上海临港工厂以8-12英寸衬底研发和全球化产能扩张为核心，已具备年30万片导电型衬底的生产能力，8英寸衬底已实现批量销售，计划未来产能将持续提升。山东济南基地聚焦8英寸碳化硅衬底量产与产业链自主可控，该基地于今年6月获批的10亿元项目专注于8英寸导电型衬底生产，规划年产10万片衬底及48.5吨碳化硅单晶。
此外，在碳化硅设备领域也有最新动态。
7月28日，根据“广州粤升”官微消息，广州粤升自主研发的8英寸碳化硅（SiC）外延设备成功完成研发并顺利交付标杆客户。
图片来源：粤升设备
公开资料显示，广州粤升成立于2021年，为东莞中科汇珠全资子公司，专注于液相法SiC单晶生长设备、气相法SiC外延设备的研发和生产。据了解，其自研的SiC外延设备所生长的8英寸SiC外延片膜层厚度不均匀性小于0.5%，掺杂浓度不均匀性小于1.2%，表面粗糙度均小于0.160 nm，多项关键指标达国际先进水平。
在8英寸碳化硅（SiC）外延设备领域，目前我国还有纳设智能、中国电科48所、晶盛机电、先为科技、瀚天天成等厂商在市场上占据一定份额。
纳设智能成立于2018 年，7月初宣布其自主研发的全自动双腔8英寸碳化硅外延设备及多台8英寸单腔设备已交付龙头客户。瀚天天成作为头部碳化硅外延供应商，其8英寸外延片已覆盖15家客户，推动国产外延环节竞争力显著增强。
（集邦化合物半导体 妮蔻 整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。