最新文章

扩产SiC,SK siltron在美获7700万美元补贴

作者 |发布日期 2024 年 04 月 12 日 18:00 | 分类 企业
据外媒报道,4月11日,韩国半导体晶圆制造商SK siltron宣布将从美国密歇根州政府获得7700万美元(约5.57亿人民币)的补贴,这笔资金包括投资补贴和税收优惠。 图片来源:拍信网正版图库 报道称,SK siltron正在扩建其位于美国密歇根州贝城的SiC晶圆工厂,由其美...  [详内文]

青禾晶元8英寸SiC键合衬底技术获突破

作者 |发布日期 2024 年 04 月 12 日 10:15 | 分类 碳化硅SiC
4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通过技术创新,在SiC键合衬底的研发上取得重要进展,在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。 8英寸N型SiC复合衬底(source:青禾晶元) 青禾晶元介绍,对比6英寸SiC晶圆,8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍,芯片产出可增加80...  [详内文]

全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆发布

作者 |发布日期 2024 年 04 月 11 日 18:00 | 分类 产业
4月10日,在2024武汉九峰山论坛上,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关,展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。通过调控外延工艺,外延片不均匀性控制在4%以内,所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%,击穿电压突破了2...  [详内文]

募资18亿,SiC设备相关厂商拉普拉斯IPO获批

作者 |发布日期 2024 年 04 月 11 日 18:00 | 分类 企业
4月9日,上交所官网披露,拉普拉斯新能源科技股份有限公司(以下简称拉普拉斯)首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请已在3月27日获批生效。 拉普拉斯此次IPO拟募资18亿元,募集资金主要用于光伏高端装备研发生产总部基地项目、半导体及光伏高端设备研发制造基地项目以及补充流动资金。...  [详内文]

Coherent获得1500万美元资助,发力碳化硅和单晶金刚石

作者 |发布日期 2024 年 04 月 11 日 17:55 | 分类 企业
4月10日,Coherent宣布,公司基于CHIPS法案获得1500万美元的资金,用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体(分别为碳化硅和单晶金刚石)的商业化。 source:拍信网 据了解,该法案还为国防部 (DoD) 提供20亿美元(折合人民币约145亿元),用于加强和振兴美国...  [详内文]

加码SiC,华为申请晶体生长专利

作者 |发布日期 2024 年 04 月 10 日 18:20 | 分类 企业
天眼查资料显示,4月5日,华为技术有限公司公开一项“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利,申请公布号为CN117822097A,申请日期为2022年9月28日。 source:天眼查 该专利摘要显示,本申请实施例公开了一种挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方...  [详内文]

8英寸扩军,世纪金芯8英寸SiC加工线正式贯通

作者 |发布日期 2024 年 04 月 10 日 18:20 | 分类 企业
今年2月,合肥世纪金芯半导体有限公司(以下简称世纪金芯)8英寸SiC加工线正式贯通并进入小批量生产阶段,在8英寸SiC衬底量产方向更进一步。 source:世纪金芯 据介绍,世纪金芯采用模拟软件,首先对坩埚、保温层和加热器等组成的热场进行模拟计算,营造符合实际生长过程的温度和温...  [详内文]

与AI算法结合,国产碳化硅检测设备亮相!

作者 |发布日期 2024 年 04 月 10 日 17:25 | 分类 企业
4月9日,在中国光谷举办的2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会上,华工科技发布碳化硅检测灵睛Aeye系列新品,包括国产碳化硅衬底外观缺陷检测智能装备、碳化硅晶圆关键尺寸测量智能装备。 华工激光精密系统事业群PCB微电子事业部总经理王莉介绍道:“通过自主研发散光抑制图...  [详内文]

价值115亿,同光股份首登全球独角兽榜

作者 |发布日期 2024 年 04 月 10 日 17:22 | 分类 产业
4月9日,胡润研究院发布《2024全球独角兽榜》,列出了全球成立于2000年之后,价值10亿美元以上的非上市公司。 据了解,胡润研究院自2017年以来追踪记录独角兽企业,这是第六次发布全球独角兽榜。本次榜单估值计算的截止日期为2024年1月1日,在发布之前更新了估值的重大变化。 ...  [详内文]

镓仁半导体推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底

作者 |发布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分类 功率
4月9日,杭州镓仁半导体有限公司(下文简称“镓仁半导体”)宣布正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底,在(010)衬底的研发生产方面再创新高。 source:镓仁半导体 据介绍,氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场强高、巴利加优值大等优点,使基于氧化镓的功率器...  [详内文]