英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 10 日 15:11 | 分类 氮化镓GaN | edit

随着终端产品对氮化镓的加速应用，氮化镓市场规模进一步扩大。相较于硅，氮化镓高频率、小体积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。 近期还推出了采用TO252 / TO...  [详内文]

宏微科技2022年几款SiC混合模块已批量出货

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 09 日 17:31 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，宏微科技组织参观活动，在接受机构调研时表示，2022年公司几款SiC混合模块已批量出货。自产的SiC SBD单管也在2022年年末有样品在客户端测试；SiC MOS也在流片中。 在公司的未来规划中SiC占据非常重要的地位，但SiC产品的验证与产能释放都需要一定时间，公司的S...  [详内文]

2023年湖南电子信息制造业重点项目公布

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 09 日 17:30 | 分类 产业 | edit

近日，湖南省工信厅发布，围绕先进计算、新型显示、能源电子等重点方向，今年铺排42个电子信息制造业重点项目，单个项目投资均在5亿元以上，总投资达1385亿元。2023年度计划投资473亿元；项目建成达产后，预计可年新增营收1500亿元以上。 其中，湖南三安半导体产业园项目（二期）、...  [详内文]

集邦咨询：2023年SiC功率元件市场产值估将突破22亿美元

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 09 日 14:25 | 分类 碳化硅SiC | edit

第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值又以SiC占80%为重。SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。据TrendForce集邦咨询研究统计，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作项...  [详内文]

SiC龙头罗姆官宣两则好消息

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 09 日 11:32 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，罗姆（ROHM）接连发布了两则好消息。一是其开发的SiC SBD成功应用于村田制作所旗下企业的数据中心电源模块；二是确立了一项技术，可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 SiC SBD成功应用于村田数据中心电源模块 3月2日，罗姆宣布其开发的第3代SiC肖特基二极...  [详内文]

美国NI收购德国设备厂SET，发力汽车SiC市场

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 03 月 08 日 17:23 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

今年1月消息，美国自动测试及量测系统厂商NI（National Instruments，国家仪器）正在考虑出售。近日，NI又传来了新消息，而这次是关乎并购另外一家设备公司。 3月6日，NI宣布已通过现金收购德国设备厂商SET GmbH，目标是缩短关键的高度差异化解决方案的上市时间...  [详内文]

总投资6亿、年产3000片，博康嘉兴氮化镓项目开工

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 03 月 08 日 17:20 | 分类 氮化镓GaN | edit

据“嘉兴城南”官方消息，3月6日，博康（嘉兴）半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目正式开工。 该项目总投资约6亿元，占地面积46667平方米，将新建工业厂房30543平米，并引进光刻机、磁控溅射机等设备约100台套，用于生产通信用氮化镓射频芯片先导线，预计年产能将为3000片。 项...  [详内文]

38亿买入+25亿投资，中瓷电子大手笔进军第三代半导体

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 03 月 08 日 17:18 | 分类 产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对第三代半导体业务的开拓有了新的进展。 “蛇吞象”式并购，中瓷电子拟38亿买入标的 3月6日晚间，中瓷电子发布公告称，公司于2023年3月3日...  [详内文]

宝马与安森美签订SiC长期供货协议

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 03 月 07 日 15:13 | 分类 碳化硅SiC | edit

今年以来，继大众之后，安森美昨日（3/6）宣布与宝马（BMW AG）签订了长期供货协议，未来将为宝马400V直流母线电动动力传动系统供应EliteSiC碳化硅技术解决方案。 在汽车功率半导体领域，安森美已积累了数十年的功率器件技术开发和生产经验，掌握着出色的封装工艺技术，以及各...  [详内文]

台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 07 日 13:54 | 分类 碳化硅SiC | edit

今日，据台媒报道，台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6吋导电型4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长速度更快且具重复性，这标志着台湾地区第三代半导体碳化硅向前推进的进程。 碳化硅作为第三代半导体的代表，具有耐高压、耐高温、高频...  [详内文]