近期，纳微半导体在功率半导体领域连续释放两则重要动态。7月23日，公司宣布与Magnachip达成战略合作，授权其GeneSiC高压及超高压碳化硅技术；7月27日，纳微公布2026年第二季度财报，营收环比增长22%，高功率业务同比增幅超过50%。GaN与SiC双技术路线的协同推进，以及“Navitas 2.0”战略转型的成效释放，共同勾勒出这家功率半导体企业全面押注AI数据中心与能源基础设施市场的清晰路径。
Q2财报：高功率业务增长超50%，AI数据中心三段式供电架构浮出水面
7月27日，#纳微半导体 发布2026年第二季度财报。当季公司实现营收1052.9万美元（约合7131万元人民币），环比增长22%，高于分析师平均预期的997万美元。高功率市场营收同比增长超过50%，成为拉动增长的核心引擎。非GAAP毛利率为39.5%，环比提升50个基点；非GAAP营业亏损为1140万美元。公司预计2026年第三季度营收将增至1350万美元。
图片来源：纳微半导体2026年第二季度财报
纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示，二季度增长主要得益于“Navitas 2.0”战略转型——从传统移动及低端消费电子市场转向AI数据中心与能源基础设施。GaN和SiC产品线均实现环比增长，其中SiC增速尤为突出；用于AI数据中心的GaN与SiC产品贡献较上年同期翻倍增长。公司预计到2026年底，高功率市场销售额将占总营收三分之一以上，移动及低端消费类营收占比将降至微不足道。
在本次财务会议上，纳微还披露了AI数据中心供电架构三段式演进中的产品布局：
第一阶段（10kV→800V），采用GeneSiC超高压SiC技术，覆盖1.2kV、3.3kV及6.5kV电压等级。公司计划今年第三季度推出第三代6.5kV SiC产品，2027年初推出1.2kV JFET产品系列。
第二阶段（800V→48V），采用高压GaN、SiC与中压GaN的组合方案，主要面向台达电子、光宝科技、伟创力等电源客户。目前工程样品已通过早期客户评估，预计2026年底启动量产爬坡。纳微与GlobalFoundries合作的8英寸GaN芯片制造项目将在2026年底前完成全部客户测试与验证，首批产品预计2027年初推出。
第三阶段（48V→12V），采用新型80V至200V中压GaN，计划今年第四季度交付最终工程样品，同样预计于2026年底启动量产爬坡。
基于上述三段式布局，纳微预计其可服务市场将实现每年60%至75%的增长，规模超过35亿美元。公司预期未来两个季度继续保持两位数环比增长。
与Magnachip战略合作：GeneSiC技术授权打开高压SiC市场
7月23日，纳微半导体与Magnachip宣布建立战略合作伙伴关系，旨在加速高压与超高压碳化硅技术的市场渗透。根据协议，Magnachip将获得纳微GeneSiC沟槽辅助平面技术的授权，覆盖1200V、2300V、3300V及更高电压等级，从而进入高压及超高压SiC市场。Magnachip还将获得纳微的碳化硅供应链与材料生态系统支持，以加快其市场准入速度。该技术计划在Magnachip位于韩国的晶圆厂进行移植、认证与内部化。
纳微CEO Chris Allexandre表示，此次合作体现了公司在高压与超高压电力市场推广GeneSiC技术的长期愿景。Magnachip CEO Chae Lee则指出，GeneSiC技术的加入与Magnachip现有MOSFET及功率半导体产品组合形成互补。双方还透露，此次协议涵盖的合作范围不限于碳化硅领域，未来将公布更多细节。
Magnachip是一家专注于模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的企业，产品涵盖MOSFET和功率IC技术，广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子及计算机等领域。2026年第一季度，Magnachip营收同比增长3.3%，达到4620万美元。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。