7月29日武汉东湖高新区官方发布消息，位于武汉光谷的硅来半导体（武汉）有限公司碳化硅激光衬底装备基地正式投用，自研双光刀SiC激光隐切设备实现规模化量产交付，凭借双光源同步作业架构，设备加工效率较行业主流单激光方案提升3倍，当前在手订单已经排至2026年年底，首批设备已发往马来西亚等海外客户。
图片来源：中国光谷
图为硅来半导体开发的碳化硅晶圆切割设备
碳化硅硬度接近金刚石，晶锭切片长期是第三代半导体衬底量产的卡脖子工序。传统砂浆线切割单块晶锭加工周期长达7天，耗材损耗高、材料利用率偏低；行业通用单光源激光切割单片耗时也需要30至40分钟。
据悉，硅来半导体依托华中科技大学激光科研团队技术积淀，自主研发双光路同步作业的“双光刀”激光隐切方案，通过特殊光路整形与能量精准控制，将单块碳化硅晶锭切片时间压缩至10分钟，在提速的同时实现99%超高剥离良率，整机软硬件全部完成国产化自主设计，设备本体长度不足1.5米，适配8英寸、12英寸大尺寸SiC晶锭批量加工需求。
技术原理上，该设备并非物理切削，而是依靠高聚焦激光在晶体内部形成分层断面，再通过超声剥离完成晶圆分离，能够大幅降低晶锭切割损耗，有效提升衬底出片率，直击当前国内SiC衬底工厂量产成本偏高的痛点。
产能与市场端，公司首条碳化硅晶圆切割中试产线已全面运行，除国内头部衬底企业批量下单外，产品已实现出口海外。受新能源汽车800V平台渗透率快速提升带动，全球碳化硅衬底产能持续紧张，上游切片设备需求旺盛，企业当前订单饱满，全年交付压力较大。团队表示后续将持续迭代光路控制系统，优化12英寸大尺寸晶圆加工稳定性，进一步向下游晶圆制造企业推进设备批量导入。
（集邦化合物半导体整理）
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