近日，英诺赛科通过官方微信公众号宣布其氮化镓（GaN）功率芯片累计出货量已达20亿颗。
图片来源：英诺赛科
据公开数据显示，英诺赛科的氮化镓芯片出货量实现了跨越式增长：2019年累计出货量尚不足500万颗，到2024年已突破12亿颗，2025年便攀升至20亿颗，较2024年同比增长超66%，较2019年更是实现了400倍的指数级增长。
英诺赛科的出货量爆发，离不开全球第三代半导体产业崛起的时代浪潮。从市场需求端来看，下游应用领域的持续扩张为氮化镓产业提供了广阔增长空间。
在消费电子领域，氮化镓快充凭借体积小、效率高的优势，已成为主流手机厂商及安克、绿联等头部配件品牌的标配，推动低压与高压快充芯片需求持续攀升。
在新能源汽车领域，车载充电机（OBC）、激光雷达电源等核心部件对高效功率器件的需求激增，氮化镓器件凭借轻量化、高效率特性，正加速替代传统硅基器件。
在AI数据中心领域，英伟达推动的800V直流电源架构转型，对氮化镓芯片的高频、高效特性提出迫切需求，单机柜功率密度提升至300kW的技术升级，进一步放大了氮化镓的应用价值。
此外，光伏储能、工业电源等领域在全球“双碳”目标驱动下，对高效节能功率器件的需求也持续释放，共同构成了氮化镓产业增长的核心动力。
在全球氮化镓产业的竞争格局中，成立于2015年的英诺赛科已成长为不容忽视的头部力量。作为全球率先布局8英寸硅基氮化镓量产线的企业之一，英诺赛科自成立之初已确立了“全产业链模式+8英寸规模化量产”的战略定位。
目前，英诺赛科已建成两座8英寸硅基氮化镓生产基地，采用先进的IDM全产业链模式，实现了从外延、器件设计到芯片制造、封装测试的全流程自主可控。
财务数据显示，2025年上半年英诺赛科营收达到5.53亿元，同比增长43.4%，毛利率实现6.8%的正向突破，结束了此前的亏损状态，标志着企业已进入规模化盈利的关键拐点。
（集邦化合物半导体整理）
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