近日，厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）迎来重大进展，首台设备提前搬入。该项目作为2025年福建省及厦门市重点建设项目，同时也是厦门最大的碳化硅项目，其建设进展备受关注。
图片来源：中建三局一公司
项目位于福建省厦门市，规划总建筑面积达23.45万平方米，定位为具备国际先进水平的8英寸SiC功率器件制造平台。建成投产后，将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力，进一步巩固其在中国第三代半导体产业链中的战略地位，有力助推厦门市第三代半导体产业加快发展。
士兰微是国内主要的综合型半导体设计与制造（IDM）企业之一，公司1997年成立，2003年3月在上海证券交易所主板上市。多年来专注于硅半导体和化合物半导体产品的设计、制造和封装，技术水平、营业规模、盈利能力等在国内同行中均位居前列。其在厦门已布局多个重大项目，如士兰集科 “12英寸特色工艺芯片生产线” 和士兰明镓 “先进化合物半导体器件生产线”，8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目是其又一重要布局。
深耕碳化硅，产能突破与架构革新双管齐下
士兰微在碳化硅领域持续发力，不断取得新突破。早在2017年就开始进行碳化硅产业布局，目前已实现产能的逐步扩大。2021年8月，士兰微SiC功率器件中试线实现通线，并于2022年完成车规级SiC MOSFET器件的研发并向客户送样、开始量产。2022年7月，士兰明镓宣布建设二期项目，计划新增6英寸SiC MOSFET芯片12万片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4万片/年的生产能力。2024年6月，厦门士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目开工，总投资120亿，两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力。
此前4月8日，士兰微发布公告披露相关碳化硅项目进展。截止当时，其士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线项目已形成月产9,000片6吋SiC MOS芯片的生产能力，第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。而士兰集宏8吋SiC mini line已实现通线，预计将在2025年4季度实现全面通线并试生产，以赶上2026年车用SiC市场的快速成长。
图片来源：士兰微公告截图
如今士兰微8英寸碳化硅项目首台设备的提前搬入，预示着项目将快速进入设备安装与调试阶段，有望按计划实现通线和试生产。这不仅将提升士兰微自身的市场竞争力，也将为国内碳化硅芯片市场注入新的活力，推动新能源汽车、光伏、储能等多个行业的发展。
除了在项目推进上成果斐然，士兰微在公司内部架构调整方面同样动作频频。6月25日，士兰微发布公告，独立董事何乐年因连续任职满六年提交辞职报告，在新任选出前仍履职。在公司业务布局拓展上，士兰微近期也有新动作。天眼查App显示，近期厦门士兰集华微电子有限公司正式成立，注册资本达1000万人民币，由杭州士兰微电子股份有限公司全资持股，覆盖集成电路全业务，深化垂直整合，为发展蓄势。
（集邦化合物半导体 妮蔻 整理）
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