文章分类： 功率

深重投国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台亮相

作者 | 发布日期: 2024 年 11 月 15 日 17:57 |
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| 分类: 功率
11月15日，深重投集团投建的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在中国国际高新技术成果交易会（简称：高交会）上，召开建成发布会。 source：高交会 据介绍，建成发布的深圳综合平台具备碳化硅、氮化镓及超宽禁带功率材料与器件研发、集成设计及试制能力。 深圳综合平台主要由三...  [详内文]

印度开发出4英寸碳化硅晶圆工艺

作者 | 发布日期: 2024 年 11 月 13 日 15:56 |
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| 分类: 功率
据外媒报道，11月11日，印度国防研究与发展组织（DRDO）下属的固体物理实验室已成功开发出本土一种工艺，可以生长和制造直径为4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他们还已制造出功率高达150W的氮化镓（GaN）HEMT以及功率为40W的单片微波集成电路（MMIC），这些器件能够在...  [详内文]

8英寸碳化硅，天科合达北京二期项目正式开工

作者 | 发布日期: 2024 年 11 月 13 日 15:53 |
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| 分类: 功率
11月12日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。 source：天科合达 据集邦化合物半导体此前报道，二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地；项...  [详内文]

MACOM牵头碳化硅基氮化镓项目

作者 | 发布日期: 2024 年 11 月 06 日 16:11 |
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| 分类: 功率
11月4日，美国半导体企业MACOM宣布，将引领一个碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）技术开发项目，主要针对于射频（RF）和微波应用领域。 项目专注于开发氮化镓基材料和单片微波集成电路（MMIC）的半导体制造工艺，以实现在高压和毫米波（mmW）频率下的高效运行。 图片来源：...  [详内文]

长飞先进武汉碳化硅基地将提前2个月量产通线

作者 | 发布日期: 2024 年 10 月 31 日 17:14 |
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| 分类: 功率
10月30日，长飞先进武汉基地相关负责人对外介绍，长飞先进武汉碳化硅基地11月设备即将进驻厂房，明年年初开始调试，预计2025年5月可以量产通线，随后将开启良率提升和产能爬坡。 source:光谷融媒体中心 据悉，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，项目总...  [详内文]

台湾地区新增一座碳化硅衬底厂

作者 | 发布日期: 2024 年 10 月 25 日 16:01 |
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| 分类: 功率
据台媒消息，10月22日，台湾碳化硅长晶厂商格棋化合物半导体公司（下文简称“格棋”）举行了中坜新厂落成典礼。 source：格棋 据介绍，格棋中坜新厂总投资金额达6亿元新台币（折合人民币约1.33亿元），预计2024年第四季达到满产。其中6英寸碳化硅晶片月产能可达5,000片，...  [详内文]

山东2个氮化镓衬底项目有新进展

作者 | 发布日期: 2024 年 10 月 22 日 17:50 |
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| 分类: 功率
在当今快速发展的科技时代，半导体材料的创新和应用正成为推动全球电子产业发展的关键力量。在第三代半导体材料领域，氮化镓（GaN）因其卓越的电子特性和广泛的应用前景，正受到业界的关注。近期，山东省的济南和临沂两地，在氮化镓衬底方面取得了新进展。 济南：新增一个氮化镓项目 据济南日报消...  [详内文]

全球有多少座8英寸碳化硅厂？

作者 | 发布日期: 2024 年 10 月 10 日 16:23 |
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| 分类: 功率
2024年的碳化硅市场犹如一条汹涌的大河，全球各大厂家倾泻而下、奔涌向前。我们可以看到全球各大厂在过去几年中投资布局的8英寸碳化硅生产线已逐步进入落地阶段，包括英飞凌在马来西亚建设的居林新厂，安森美在韩国富川规划的生产设施，三安在重庆投资的碳化硅项目等等。聚焦我国，则以碳化硅产业...  [详内文]

15亿，台湾8英寸氮化镓功率厂投资案通过

作者 | 发布日期: 2024 年 10 月 09 日 17:50 |
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| 分类: 功率
10月4日，中国台湾科学园区审议会第19次会议召开，会中通过冠亚半导体股份有限公司（下文简称“冠亚”）投资议案。 据介绍，该案投资金额达15亿元新台币（折合人民币约3.29亿元），主要用来生产氮化镓功率元件相关产品。 资料显示冠亚为台亚半导体子公司，专注于氮化镓（GaN）功率技术...  [详内文]