文章分类: 功率

江苏:加快培育第三代半导体、虚拟现实等产业

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 10 日 11:28 | | 分类: 功率
11月9日,江苏省人民政府发布关于加快培育发展未来产业的指导意见。 意见提出,到2025年,建设10个未来产业(技术)研究院、未来技术学院、未来产业科技园等平台载体,引育50个未来产业领军人才(团队),涌现一批具有核心竞争力的关键技术、应用场景和重点企业,南京、苏州率先建设未来...  [详内文]

总投资超110亿,车规级半导体项目签约杭州

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 09 日 18:09 |
| 分类: 功率
杭州市萧山区人民政府2023年《政府工作报告》第三季度重点任务执行情况于近日发布。据第61项完成情况显示,目前已签约、落地亿元以上项目26个,其中100亿以上项目实现零的突破,签约总投资112亿元的车规级半导体项目。 杭州市前不久才完成一起车规级半导体项目的签约:据萧山日报报道,...  [详内文]

东部高科正式启动超高压功率半导体业务

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 08 日 14:53 | | 分类: 功率
近日,韩国8英寸晶圆代工厂东部高科(DB Hitek)宣布升级超高压(UHV)功率半导体工艺技术,正式进军超高压功率半导体业务。 资料显示,超高压功率半导体可广泛应用于家电、汽车、通信和工业等领域。相关人士表示,东部高科将以其具有竞争力的功率半导体技术为基础,向高附加值、高增长的...  [详内文]

11.9亿,大基金等助力士兰微SiC功率器件生产提速

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 08 日 14:50 |
| 分类: 功率
天眼查显示,厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(下文简称“士兰明镓”)近日发生工商变更,新增股东国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司(下文简称“大基金二期”)、厦门海创发展基金合伙企业(有限合伙)(下文简称“海创发展基金”),注册资本从原先的约12.7亿人民币增至约24.6亿人...  [详内文]

罗姆宣布明年在日本生产8英寸SiC衬底

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 07 日 17:28 |
| 分类: 功率
罗姆半导体(Rohm)株式会社社长松本功近日在2023年11月财报电话会议上宣布,将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底,主要供该公司内部使用,预计将于2024年开始投产。这将是罗姆首次在日本生产SiC衬底。 据悉,宫崎第二工厂规划项目是罗姆近几年产能扩张计划的一部分...  [详内文]

总投资21亿,晶盛机电SiC衬底片项目正式签约启动

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 06 日 13:42 | | 分类: 功率
11月4日,晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”正式签约启动,此举旨在攻关半导体材料端关键核心技术,最终实现国产替代。 据悉,此次签约项目总投资达21.2亿元。启动仪式上,晶盛机电董事长曹建伟博士表示,本次项目启动,是晶盛机电创新增长的重要方向。 资料显示...  [详内文]

日立功率半导体被收购

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 03 日 14:21 |
| 分类: 功率
11月2日,株式会社日立制作所(以下简称日立)宣布与美蓓亚三美株式会社(以下简称美蓓亚三美)签订合同,日立决定将其全资子公司株式会社日立功率半导体(以下简称日立功率半导体)的全部股份转让给美蓓亚三美。 日立功率半导体股权转让 据悉,日立此次股权转让涉及股份数量为45万股。目前,股...  [详内文]

智新半导体首批自主碳化硅功率模块下线

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:35 | | 分类: 功率
近日,智新半导体二期产线顺利下线首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块,该批产品已完成自主封装、测试以及应用老化试验。 据悉,智新半导体碳化硅模块项目于2021年进行前期先行开发,去年12月正式立项为量产项目。该项目以智新半导体封装技术为引领,实现了从模块设计、封装测试、电控应用到整...  [详内文]

中电化合物完成交付首批8吋SiC外延片产品

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:34 | | 分类: 功率
10月31日,中电化合物半导体有限公司(CECS)宣布成功向客户交付首批次8吋SiC外延片产品,这标志着中电化合物的外延产品迈上新台阶,可为行业提供更加先进的技术支持,从而推动碳化硅行业加速发展。 据中电化合物介绍,相比6吋,8吋SiC外延片面积增加78%,能够较大幅度降低碳化硅...  [详内文]

Power Integrations推出史上最高电压GaN开关IC

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 01 日 18:11 |
| 分类: 功率
Power Integrations(PI) 近日发布了据称是世界上最高电压的单开关GaN电源 IC,采用1250V PowiGaN开关。 InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。据悉,它具有同...  [详内文]