文章分类： 功率

成本可降低10%，日本推碳化硅衬底新技术

作者 | 发布日期: 2024 年 07 月 01 日 14:20 |
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据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。 据介绍，中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底...  [详内文]

碳化硅新应用，热电池转换效率创新高

作者 | 发布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:33 |
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长时间电网级储能将出现新的解方。美国密西根大学开发的热电池，其热能转换器效率达到44%，表现也优于常见的蒸汽涡轮机，其平均效率为35%。 太阳能、风力发电成本虽然快速下跌，但是只有再生能源价格下降还不够，因为绿能为间歇性能源，日落或是没有风的时候，还是需要“电池“等储能系统辅助，...  [详内文]

涉及GaN，BAE Systems宣布和格芯达成合作

作者 | 发布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:31 |
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6月24日，BAE Systems宣布和GlobalFoundries（格芯）建立了合作伙伴关系，以加强美国国家安全项目的关键半导体供应。根据该协议，两家公司将就增加美国半导体创新和制造的长期战略进行合作，双方共同目标是推进美国国内芯片制造和封装生态系统，主要针对航空航天和国防系...  [详内文]

120亿+15亿，国内2个8英寸碳化硅项目迎来新进展

作者 | 发布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:05 |
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近日，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧正式开工。 该项目总投资120亿元，建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，建成后将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。 该项目分两期建设，其中，一期项目总投资70亿...  [详内文]

碳化硅市场硝烟四起

作者 | 发布日期: 2024 年 06 月 21 日 14:11 |
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近期市场最新消息显示，安森美onsemi将投资高达20亿美元提高其在捷克共和国的半导体产量，以扩大该公司在欧洲的产能。近几年，SiC功率元件市场竞争十分激烈。 据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球SiC功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲成长，前五大Si...  [详内文]

士兰微8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工

作者 | 发布日期: 2024 年 06 月 18 日 16:55 |
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| 分类: 功率
据厦门广电网消息，6月18日上午，士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线在海沧区开工。 source：士兰微 该项目总投资120亿元，分两期建设，两期建成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力。这条生产线投产后将成为国内第一条拥有完全自主知识产权、产能规模最...  [详内文]

电科材料GaN-on-Si外延片完成交付

作者 | 发布日期: 2024 年 06 月 14 日 17:55 |
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| 分类: 功率
第三代半导体氮化镓（GaN）材料具有禁带宽度大、电子饱和速度及电子迁移率高、击穿场强高等特性，在功率与射频领域有广阔的应用前景。硅基氮化镓在具备上述优点的同时兼顾了可低成本、大规模生产的优点，是第三代半导体发展的重要方向。 据中电材料官微消息，近日，电科材料下属国盛公司研发的硅基...  [详内文]

复旦大学在可见光通信蓝光激光mini-LD芯片方面取得突破

作者 | 发布日期: 2024 年 06 月 07 日 9:39 |
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近期复旦大学信息科学与工程学院迟楠团队联合鹏城实验室余少华院士与沙特阿卜杜拉国王科技大学Boon Ooi教授，在可见光通信关键光源器件研究方面取得了突破性进展，利用极性面氮化镓（GaN）材料设计研制了一种具有大带宽的窄脊短腔激光器（mini-LD），将高速光源的带宽从1GHz左右...  [详内文]

投资1000亿韩元，韩国首座8英寸SiC工厂开建

作者 | 发布日期: 2024 年 06 月 06 日 17:59 |
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| 分类: 功率
6月5日，韩国贸易、工业和能源部宣布，韩国本土半导体制造商EYEQ Lab已开始在釜山功率半导体元件和材料特区内建设韩国首座8英寸碳化硅功率半导体工厂，该项目已于5日上午举行了奠基仪式。 据悉，EYEQ Lab公司成立于2018年5月，原本是一家功率半导体无晶圆厂公司。此番计划投...  [详内文]