文章分类： 功率

4Q23搭载SiC功率芯片逆变器市占率达15%

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:48 |
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| 分类: 功率
根据TrendForce集邦咨询全球电动车逆变器市场数据显示，2023年第四季全球电动车逆变器装机量达714万套，相较2023年第三季639万套，季增约12%，主因是去年第四季电动车季单季销量较第三季成长。其中，逆变器市场主要的推动力来自于纯电动车（BEV）。 TrendFor...  [详内文]

中国SiC外延片市场，繁荣与挑战并存

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:43 |
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| 分类: 功率
随着电动汽车和新能源需求的持续扩大，碳化硅功率半导体元件在各领域的渗透率呈现持续攀升之势。对于碳化硅外延片环节，过去市场长期由Resonac、Wolfspeed等国际大厂主导，中国厂商瀚天天成与天域半导体历经10余年积累，终随新能源浪潮迎来业务高速增长期，近年来全球市场份额得以迅...  [详内文]

发展汽车、工业领域，瑞能半导通过IPO辅导验收

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 19 日 17:24 |
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| 分类: 功率
根据中国证券监督管理委员会官网资料，瑞能半导体科技股份有限公司（以下简称：瑞能半导）已通过辅导验收。 事实上，这并非瑞能半导首次申请上市。2020年8月，瑞能半导于上交所上市的申请获得受理，但其最终于2021年6月申请撤回申请文件。 2023年7月，瑞能半导重整旗鼓，与西南证券...  [详内文]

英飞凌、罗姆产品新进展

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 07 日 10:28 |
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| 分类: 功率
近日，英飞凌和罗姆两大SiC龙头在产品端公布了新进展。 英飞凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日，英飞凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术产品，CoolSiC MOSFET G2系列产品。 source：英飞凌 英飞凌表示，新一代C...  [详内文]

第三代半导体项目遍地开花

作者 | 发布日期: 2024 年 03 月 04 日 16:37 |
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| 分类: 功率
近日，多个第三代半导体项目迎来最新进展。其中，重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。 总投资32.7亿元，重投天科第三代半导体项目在深圳宝安启用 据滨海宝安消息，2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用，其由深圳市重投天科半导体...  [详内文]

SiC龙头英飞凌重组自身业务

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 29 日 18:48 |
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| 分类: 功率
2月28日，英飞凌表示，目前公司正在进一步加强和精简其销售组织。英飞凌宣布，从3月1日起，公司的销售团队将围绕“汽车”、“工业与基础设施”以及“消费者、计算与通信”这三个以客户为中心的销售领域进行组建。 source：拍信网 其中，分销商和电子制造服务管理（DEM）销售组织将继...  [详内文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ导通电阻的GaN FET

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 29 日 16:42 |
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| 分类: 功率
2月27日，EPC推出采用紧凑型3 mm x 5 mm QFN封装的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，为DC-DC转换、快速充电、电机驱动和太阳能MPPT提供更高的功率密度。 EPC称，这是市场上导通电阻最低的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，功率密度...  [详内文]

晶圆级立方SiC单晶生长取得突破

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 22 日 17:51 |
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| 分类: 功率
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3...  [详内文]

GaN开启了“无限复制”时代！

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 21 日 17:55 |
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| 分类: 功率
2月21日，光州科学技术院（GIST，校长Kichul Lim）宣布，学校电气工程与计算机科学学院的Dong-Seon Lee教授的研究团队已经开发出了仅采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）的氮化镓（GaN）半导体远程同质外延技术。 外延技术，即在半导体制造中将半导体材料生长成...  [详内文]