总投资10个亿,江苏又新增一个SiC项目

作者 | 发布日期 2025 年 03 月 06 日 15:09 | 分类 功率 , 碳化硅SiC

继斯科半导体碳化硅芯片模组项目、天科合达碳化硅晶片二期扩产项目、芯华睿Si/SiC 车规级功率半导体项目 等多个SiC获得最新进展以后,近日,江苏再添一个SiC项目。

3月2日,利普思半导体发文宣布,他们位于江苏扬州的SiC模块封装测试基地建设正式启动。据悉,3月1日,利普思车规级第三代功率半导体模块项目在扬州市江都区正式启动,该项目总投资额高达10亿元人民币,占地面积32亩。该项目建成后可实现年产车规级SiC模块300万只,年销售收入10亿元,年税收5000万元。

建设规划在具体建设规划方面,利普思半导体SiC模块封装测试基地将分阶段推进。

▶ 一期工程预计耗时 18 个月,重点建设高洁净度的封装车间,配备先进的自动化封装生产线。这些生产线将引入高精度的芯片贴装设备,确保芯片在封装过程中的精准定位,同时采用先进的引线键合工艺,保障电气连接的稳定性与可靠性。

▶  二期工程计划在一期基础上进行产能扩充与技术升级。届时,将引入更先进的封装材料和工艺,如采用新型的陶瓷封装材料,提升模块的散热性能和电气绝缘性能。同时,加大对研发实验室的投入。

公司背景官方资料显示,利普思半导体自2019年11月成立以来,便专注于第三代功率半导体SiC模块的封装设计、制造与销售,产品广泛渗透至新能源汽车、工业控制、新能源发电及储能等多个热门领域。公司总部位于江苏无锡,除了此次开工的扬州生产基地外,在无锡和日本也分别设有研发中心与生产线。

目前,利普思的无锡制造基地装备了两条生产线,分别用于生产SiC模块和IGBT模块,总年产能为90万个模块。其中,无锡工厂的车规级SiC功率模块封装测试产线于2022年投产,预计年产30万个SiC模块。此外,利普思的日本子公司生产线主要生产SiC模块,年产能为30万个模块。

技术研发

在技术研发方面,利普思不断取得新进展。公司汇聚了涵盖芯片设计、封装材料、模块封装设计、生产工艺以及模块应用等各领域的专家团队。其模组方案采用自研的芯片表面连接ArcBonding专利技术,不仅能够出色地实现电流均流,还显著提升了模组的电流能力、功率密度与可靠性。

合作进展

在合作方面,2024年9月5日,公司具有自主知识产权的碳化硅sic模块在经过一年多的海外客户端评价测试后,正式获得北美知名新能源汽车tier1项目定点,预计于2025年第三季度正式量产。该产品基于800v电压平台,峰值功率可达250kw,2026年目标需求为6万只。

融资情况

融资层面,在2023年11月,公司完成近亿元A轮融资,时隔仅3个月,在2024年初该公司又宣布完成数千万人民币A+轮融资,投资方为上海联新资本、软银中国。这些资金将主要用于增强研发力量,加大其在电动汽车市场的推广力度。(集邦化合物半导体竹子整理)

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