继斯科半导体碳化硅芯片模组项目、天科合达碳化硅晶片二期扩产项目、芯华睿Si/SiC 车规级功率半导体项目 等多个SiC获得最新进展以后，近日，江苏再添一个SiC项目。
3月2日，利普思半导体发文宣布，他们位于江苏扬州的SiC模块封装测试基地建设正式启动。据悉，3月1日，利普思车规级第三代功率半导体模块项目在扬州市江都区正式启动，该项目总投资额高达10亿元人民币，占地面积32亩。该项目建成后可实现年产车规级SiC模块300万只，年销售收入10亿元，年税收5000万元。
建设规划在具体建设规划方面，利普思半导体SiC模块封装测试基地将分阶段推进。
▶ 一期工程预计耗时 18 个月，重点建设高洁净度的封装车间，配备先进的自动化封装生产线。这些生产线将引入高精度的芯片贴装设备，确保芯片在封装过程中的精准定位，同时采用先进的引线键合工艺，保障电气连接的稳定性与可靠性。
▶ 二期工程计划在一期基础上进行产能扩充与技术升级。届时，将引入更先进的封装材料和工艺，如采用新型的陶瓷封装材料，提升模块的散热性能和电气绝缘性能。同时，加大对研发实验室的投入。
公司背景官方资料显示，利普思半导体自2019年11月成立以来，便专注于第三代功率半导体SiC模块的封装设计、制造与销售，产品广泛渗透至新能源汽车、工业控制、新能源发电及储能等多个热门领域。公司总部位于江苏无锡，除了此次开工的扬州生产基地外，在无锡和日本也分别设有研发中心与生产线。
目前，利普思的无锡制造基地装备了两条生产线，分别用于生产SiC模块和IGBT模块，总年产能为90万个模块。其中，无锡工厂的车规级SiC功率模块封装测试产线于2022年投产，预计年产30万个SiC模块。此外，利普思的日本子公司生产线主要生产SiC模块，年产能为30万个模块。
技术研发
在技术研发方面，利普思不断取得新进展。公司汇聚了涵盖芯片设计、封装材料、模块封装设计、生产工艺以及模块应用等各领域的专家团队。其模组方案采用自研的芯片表面连接ArcBonding专利技术，不仅能够出色地实现电流均流，还显著提升了模组的电流能力、功率密度与可靠性。
合作进展
在合作方面，2024年9月5日，公司具有自主知识产权的碳化硅sic模块在经过一年多的海外客户端评价测试后，正式获得北美知名新能源汽车tier1项目定点，预计于2025年第三季度正式量产。该产品基于800v电压平台，峰值功率可达250kw，2026年目标需求为6万只。
融资情况
融资层面，在2023年11月，公司完成近亿元A轮融资，时隔仅3个月，在2024年初该公司又宣布完成数千万人民币A+轮融资，投资方为上海联新资本、软银中国。这些资金将主要用于增强研发力量，加大其在电动汽车市场的推广力度。（集邦化合物半导体竹子整理）
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