Tag Archives: 碳化硅

订单激增!这个SiC设备厂产品交付量再创新高

作者 |发布日期 2023 年 06 月 02 日 17:17 | 分类 碳化硅SiC
近日,北京烁科中科信表示5月接连交付了8台高品质设备,再创新高。截至今年5月底,离子注入机交付总台数同比增长175%。 4月,公司宣布北京总公司和长沙分公司实现12台离子注入机先后顺利交付,同比增长300%。一季度新签合同再创新高,合同总额突破3.5亿元,同比增长21%。 5月,...  [详内文]

【会议预告】纳设智能:SiC外延生长装备的创新发展

作者 |发布日期 2023 年 06 月 02 日 14:50 | 分类 碳化硅SiC
近年来,随着SiC应用领域的扩展,需求的激增,产业对于SiC外延片品质和产能要求不断提高,SiC外延设备也就占据了产业链上游关键环节。 SiC外延层的制备方法主要有:化学气相沉积(CVD);液相外延生长(LPE);分子束外延生长(MBE)等。其中CVD法具有可以精确控制外延膜厚度...  [详内文]

【会议预告】天域半导体:碳化硅外延浅析

作者 |发布日期 2023 年 05 月 30 日 17:26 | 分类 碳化硅SiC
SiC属于宽禁带半导体材料,也称为第三代半导体。凭借其禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势,适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。 SiC产业链主要分为晶片制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等部分。其中外延是承上启下的重要环节,具有非常关键的作用。 天域半...  [详内文]

又一辆SiC列车实现载客运营

作者 |发布日期 2023 年 05 月 30 日 17:22 | 分类 碳化硅SiC
SiC属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是卫星通信、电动汽车、高压输变电、轨道交通等重要领域的核心材料。 轨道交通牵引系统功率容量超过兆瓦级,需要功率半导体器件具备更大容量的电流输出能力,目前Si基功率器件性能逐渐逼近理论极限,SiC功率器件成为重点发...  [详内文]

又一SiC企业获投资

作者 |发布日期 2023 年 05 月 26 日 17:29 | 分类 碳化硅SiC
近日,南通罡丰科技有限公司(罡丰科技)完成融资,投资方为钧石基金和达泰资本。融资金额尚未公开披露。 图片来源:拍信网正版图库 据悉,罡丰科技由中科院“百人计划”专家奚衍罡博士创办,成立于2019年,是一家专注于SiC材料、设备、衬底和外延的研发和制造的高新技术企业。致力于打通从...  [详内文]

又拿下关键一环,国产SiC设备加速崛起

作者 |发布日期 2023 年 05 月 25 日 17:30 | 分类 碳化硅SiC
近期,德龙激光在投资者互动平台回复投资者表示,公司已完成SiC晶锭切片技术的工艺研发和测试验证,并取得了头部客户批量订单,这条回复的背后意味着国产碳化硅产业链又在一关键领域取得占位。 Source:拍信网 01、改善SiC良率的关键技术 由于SiC硬度大和易脆裂等特性,晶锭切割...  [详内文]

5亿融资+牵约好上好,SiC企业瀚薪科技加速跑

作者 |发布日期 2023 年 05 月 24 日 15:49 | 分类 碳化硅SiC
瀚薪科技致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块,是国内一家能大规模量产车规级碳化硅MOS管、二极管并规模出货给全球知名客户的本土公司,产品广泛应用于新能源车的OBC/DC-DC/充电桩、光伏逆变器、通信电源、高端服务器电源、储能、工业电源、高铁、航天工业。 近日,瀚...  [详内文]

总投资额超17亿,国内再添2个第三代半导体项目

作者 |发布日期 2023 年 05 月 24 日 15:45 | 分类 产业 , 碳化硅SiC
近日,国内外第三代半导体领域新增了2个项目,总投资额超过17亿。 总投资16.8亿,芯谷半导体研发生产项目正式开工 据“吴中高新区发布”消息,5月23日,苏州吴中高新区芯谷半导体研发生产项目正式开工。 据悉,芯谷半导体研发生产项目总投资16.8亿元,预计将于2025年建成。该研发...  [详内文]

3大射频/碳化硅相关项目落地、开工、投产

作者 |发布日期 2023 年 05 月 23 日 18:15 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
今年以来,国内各地第三代半导体相关项目建设如火如荼,与终端市场需求的蒸蒸日上遥相呼应。近日,又有3大项目落地、开工、投产,涉及射频及SiC碳化硅等领域。 汉天下14亿元射频模块项目签约落户浙江湖州 据报道,5月18日,浙江省“415X”先进制造业专项基金群启动暨签约仪式举行。会上...  [详内文]

瑞萨电子计划2025年量产SiC功率器件

作者 |发布日期 2023 年 05 月 19 日 17:52 | 分类 碳化硅SiC
根据外媒报道,日本半导体巨头瑞萨电子日前宣布,将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC)来降低损耗的下一代功率半导体产品。按照计划,瑞萨电子拟在目前生产硅基功率半导体的群马县高崎工厂实现SiC功率器件的量产,但具体投资金额和生产规模尚未确定。 相较于传统硅半导体,SiC等第三代...  [详内文]