近日，捷捷微电和三安光电在碳化硅领域的最新研发进展引发了行业关注。捷捷微电与中科院微电子研究所等合作研发碳化硅器件，目前处于小批量封测阶段；三安光电热沉散热用碳化硅材料研发进入送样阶段，其8英寸衬底准量产产品已进入主流新能源汽车企业供应链。
捷捷微电：携手科研机构，推进碳化硅器件研发
9月15日，捷捷微电在投资者互动平台表示，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表的第三代半导体器件。目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件，此外还有7个发明专利和2个实用新型专利处于申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。
捷捷微电的碳化硅器件研发成果显著。其塑封碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）器件，凭借超快的开关速度、极低的开关损耗、便捷的并联特性，以及卓越的耐压和浪涌电流承受能力，在电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等多个领域展现出广泛的应用前景。2024年，捷捷微电还成功推出了1200V碳化硅MOSFET产品，进一步充实了其在碳化硅器件领域的产品阵容。
三安光电：热沉散热用碳化硅材料早已开始研发，目前处于送样阶段
9月17日，三安光电在投资者互动平台表示，公司持续推进碳化硅衬底在AI/AR眼镜、热沉散热等方向的应用，热沉散热用碳化硅材料早已开始研发，目前处于送样阶段。这表明三安光电在碳化硅材料的应用拓展上已经取得了一定成果，有望在未来的半导体器件散热领域发挥重要作用。
此外，三安光电在碳化硅领域还有其他重要进展。10月23日，三安光电宣布旗下湖南三安在碳化硅产品上取得阶段性进展，实现8英寸衬底准量产，部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发，依托精准热场控制的自主PVT工艺，实现了更低成本及更低缺陷密度，产品进入小批量生产及送样阶段。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。