随着人工智能逐步进入由智能体（Agents）、物理AI及工业级部署驱动的新阶段，全球算力需求呈爆发式增长。在近日于美国加州圣何塞举行的NVIDIA GTC 2026大会上，英伟达创始人兼CEO黄仁勋预言，未来将形成万亿级算力基础设施市场。在这一进程中，如何提升数据中心能效、优化电力架构成为产业攻克的关键。
图片来源：英诺赛科
作为本届大会的焦点之一，中国功率半导体领军企业英诺赛科（Innoscience）凭借在氮化镓（GaN）领域的深厚积淀，成功斩获“NVIDIA GTC MGX生态合作伙伴奖”。值得注意的是，英诺赛科是本届大会中唯一获奖的中国芯片企业。
图片来源：英诺赛科
本届GTC大会以“AI工业化与规模化应用”为核心，重点聚焦AI Factory建设与数据中心能效升级。随着GPU功耗的攀升，传统电力架构已难以满足高密度计算的需求。大会现场，800V HVDC（高压直流）数据中心电源架构成为多方关注的技术高地。
在该架构生态中，英诺赛科展示了其尖端的电源解决方案。其核心产品——800V-to-50V全氮化镓电源模块方案，精准切入了AI服务器电源系统的关键前级转换环节。该模块集成了英诺赛科最新的第三代氮化镓器件（包含8颗650V GaN和32颗100V GaN），能够将800V高压直流母线电压直接转换为50V服务器标准电压，为后端GPU提供稳定且高效的动力支撑。
图片来源：英诺赛科
此外，在NVIDIA本次展示的800V HVDC AI数据中心电源架构生态中，超过半数的NVIDIA合作伙伴电源系统方案均采用了英诺赛科的氮化镓功率器件，这意味着英诺赛科GaN技术已成为AI高压直流供电架构的主流选择和关键核心器件之一。
相较于传统硅基功率器件，英诺赛科的氮化镓技术具备高密度集成、极致能效表现和显著降低系统成本三大优势，能更好适配AI服务器小型化趋势，降低数据中心能耗与运维成本。
作为目前全球产能规模较大的氮化镓供应商，英诺赛科通过与英伟达MGX生态的合作，完成了从基础器件供应商向定制化解决方案提供商的角色演进。
目前，该公司已推出800V–50V、800V-12V、800V-6V等多种规格的电源模块，旨在覆盖不同代际AI硬件的电压需求。虽然在高性能模拟芯片领域，全球市场仍由欧美传统巨头主导，但在GaN这一新兴细分赛道，中国企业正通过产能布局与800V先进制程的快速迭代，在AI算力供应链中占据一席之地。
（集邦化合物半导体整理）
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