3月18日晚间，长光华芯发布公告称，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司（下称“研究院”）拟出资800万元，认购关联方苏州星沅光电科技有限公司（下称“星沅光电”）新增注册资本62.5万元。本次增资构成关联交易，已履行相关审议程序。
公告显示，星沅光电本轮总增资2400万元，除研究院外，另有3家机构合计出资1600万元。增资前，研究院持有星沅光电20%股权；增资完成后，其持股比例将提升至23.07%，星沅光电注册资本将由625万元增至812.5万元，其他股东均放弃优先认购权。
图片来源：长光华芯公告截图
此次增资的核心关联的是化合物半导体赛道。公告明确，星沅光电核心业务为高端磷化铟（InP）激光器芯片、器件及模块的研发生产，而磷化铟是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的重要品类，与长光华芯主业的砷化镓（GaAs）同属化合物半导体材料体系。
长光华芯采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，构建了砷化镓、磷化铟等五大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，是全球少数几家具备6寸线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业之一。
长光华芯表示，公司本次向关联方增资系为了保障星沅光电的产线建设与日常运营资金需求，加快开发高端磷化铟激光器芯片、器件及相关模块、子系统，提升公司核心竞争力。
据悉，磷化铟具有优异的光电特性，是AI数据中心高速光通信、激光雷达等领域的核心材料，属于当前高景气的化合物半导体赛道。长光华芯通过本次增资，实现从成熟GaAs激光芯片向高增长InP芯片的延伸，完善化合物半导体全产业链布局，助力国产高端光芯片替代。
（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。