据韩媒The Elec报道，三星的8英寸氮化镓 (GaN) 生产线现已准备就绪，可以投入运营。
三星电子此前于2023年宣布，其功率半导体晶圆厂将于2025年开始量产，但实际上已经落后于计划。最新的行业动态显示，三星首条8英寸氮化镓（GaN）生产线预计最早将于2026年第二季度投入量产，初期营收预计低于1000亿韩元。
报道指出，三星已建立起一套全面的氮化镓解决方案生态系统，涵盖除芯片设计以外的所有方面，并能够独立生产氮化镓外延片。
此外，三星计划于年内启动其碳化硅（SiC）功率半导体代工厂生产线。该公司在SiC领域拥有端到端的能力，包括设计，使其能够在不同的电压范围内与氮化镓（GaN）技术形成互补。
此前的报道还透露，三星已投资约1000亿至2000亿韩元用于先进工艺设备，包括来自Aixtron的MOCVD系统，以支持SiC和GaN晶圆的加工。
（集邦化合物半导体整理）
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