绿能芯创1200V 20mΩ SiC MOSFET首轮流片成功

作者 | 发布日期 2024 年 02 月 04 日 18:00 | 分类 企业

2月2日,淄博绿能芯创电子科技有限公司(以下简称淄博绿能芯创)官微发布消息称,西安A客户使用淄博绿能芯创6英寸碳化硅(SiC)1200V MOSFET代工制造平台,2种不同设计的1200V 20mΩ MOSFET首轮流片成功。

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据介绍,客户此次流片,使用经绿能芯创验证过的国产衬底和国产外延片,搭配绿能芯创自行开发的1200V低电阻MOSFET代工制造平台,所有电性参数皆达标,两种不同设计首轮流片良率分别为67%和63%。

据悉,淄博绿能芯创是北京绿能芯创电子科技有限公司(以下简称绿能芯创)控股子公司(持股比例为97%),后者成立于2017年12月,是一家半导体功率器件生产销售商,为用户提供MOSFET、SBD等分立高功率产品的设计、制造流程、技术及应用开发服务。绿能芯创现有一座6英SiC晶圆厂,规划产能1万片/月,且计划筹建第二座晶圆厂。

作为绿能芯创控股子公司,淄博绿能芯创成立于2019年12月,目前在SiC功率器件领域已有一定的实力。2022年11月,淄博绿能芯创收到产品测试报告,公司1200V SiC二极管功率器件产品通过第三方权威检测机构AEC-Q101车规认证测试,报告显示该产品各项指标均符合测试要求标准,认证予以通过。同时,公司1200V SiC MOSFET管AEC-Q101正在认证中。

资料显示,AEC(Automotive Electronics Council)汽车电子委员会建立了汽车电子质量控制标准,要求车载器件性能标准化。AEC-Q101车规认证已成为国际通用车规级电子器件必备认证之一。AEC-Q101实验报告所含项目均在车辆可能遭遇高严苛环境下模拟测试,以此保证实际器件的安全性与可靠性。

2023年10月,淄博绿能芯创官微宣布公司MOSFET系列产品1200V/40mΩ及以上规格,650V/40mΩ及以上规格,晶圆代工平台已通过可靠性1000H(175℃)认证,开始接受客户代工服务。通过上述认证,为淄博绿能芯创客户1200V 20mΩ SiC MOSFET首轮流片成功创造了条件。(集邦化合物半导体Zac整理)

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