4月24日，据投中资本官微消息，南京百识电子科技有限公司（以下简称百识电子）近期宣布正式具备国产8英寸SiC外延片量产能力。至此，国内8英寸SiC外延赛道又多了一个新玩家。
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百识电子All in外延
据了解，第三代半导体外延技术推动着相关材料的研究和应用不断深入，带来了更加高效、稳定和可靠的电子设备和器件，是产业链重要环节之一。由此，吸引了众多厂商布局SiC、GaN外延业务，百识电子便是其中之一。
不同于部分企业同时涉足衬底与外延技术，百识电子自2019年成立以来，All in外延领域。由于其核心团队成员来自亚洲现有第三代半导体外延片领域的供货商，使得百识电子熟悉市场及客户不同产品需求与痛点，能够进行针对性产品与技术研发。
2023年，百识电子外延工艺和技术水平持续突破，3300V SiC外延片实现高良率高质量生产，产品厚度均匀性1.18%，浓度均匀性1.32%，并稳定出货全球轨交头部客户。此外，超高耐压（6500V及以上）外延技术也取得新进展。
2024年，SiC外延技术和产品质量的进一步提升，推动百识电子正式获得8英寸SiC外延片量产能力。产品质量方面，据称，百识电子所生产的8英寸SiC外延片质量达到国际先进水平，即厚度不均匀性小于1.5%，浓度不均匀性小于4%，3mm*3mm管芯良率达到99%以上。
技术进展方面，据悉，SiC外延层的厚度、浓度与表面缺陷的数量会影响器件电气特性，导致SiC器件良率有所损失。目前一般外延技术只能控制表面尺寸较大的致命缺陷，密度大约1/cm2，表面微坑洞数量高达每片5,000颗以上。而百识电子独有的外延技术可将表面缺陷数量控制在密度小于0.4/cm2，表面微坑洞每片小于1,000个。
产能方面，百识电子首条产线于2021年投产，当前年产能达5万片。其计划近期在长三角落地二期产线，产能规划28万片/年，以期打造先进的车规级三代半外延片制造工厂。持续的产能建设，也为百识电子具备8英寸SiC外延片量产能力提供了一定程度的支撑。
此前，百识电子已能够可提供6英寸SiC，以及6/8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延代工服务，在具备8英寸SiC外延片量产能力后，百识电子业务触角将进一步向8英寸SiC领域延伸，向8英寸转型趋势下，百识电子有望跻身主流SiC厂商行列。
国内厂商进击8英寸
当前，在材料方面，SiC产业重心正逐步向8英寸倾斜，国内众多厂商纷纷紧跟潮流，致力于开发8英寸SiC产品，不少玩家在近期取得了重大进展，其中包括中宜创芯、青禾晶元等。
今年2月，中宜创芯公司实验室成功生长出河南省第一块8英寸SiC单晶晶锭，据介绍，中宜创芯利用先进的粉体合成炉和自动化无污染破碎技术组织研发生产，具有单炉产能大、颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳低等优点，更适合8英寸SiC厚单晶晶锭的生长。
而在4月，青禾晶元宣布，其在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。青禾晶元表示，SiC长晶受限于生长良率低、周期长等瓶颈导致成本居高不下，而SiC键合衬底技术可以将高、低质量SiC衬底进行键合集成，有效利用低质量长晶衬底，与长晶技术一同推进SiC材料成本降低。青禾晶元本次突破8英寸SiC键合衬底制备，有望通过降本加速8英寸SiC衬底量产进程。
同时，芯联集成8英寸SiC晶圆和芯片研发进展比较顺利，计划年内送样，离最终量产供货也已为时不远，届时，芯联集成将成为8英寸SiC阵营又一个新玩家。
此外，科友半导体正在与俄罗斯N公司开展“8英寸SiC完美籽晶”项目合作。通过该项目，科友半导体将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，而应用品质优异的籽晶进行晶体生长，能够大幅降低8英寸SiC晶体内部的微管、位错等缺陷密度，从而提高晶体生长的质量和良率，并推动SiC长晶炉体及工艺技术的优化与升级，最终目的也是降本增效。
上述厂商在8英寸SiC赛道的探索与成果，有望刺激更多企业加大8英寸SiC产品研发投入。
小结
能够量产8英寸SiC外延片，意味着百识电子相关技术已成熟，为其后续合作、供货、扩产打下了基础，有望成为其业绩增长的新引擎，也将在一定程度上助力实现8英寸SiC外延片国产替代。
国内厂商在8英寸SiC技术和产品方面的持续突破，在加速国产替代的同时，也通过降本推动SiC产业市场规模不断迈上新台阶。（文：集邦化合物半导体Zac）
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