英诺赛科:GaN出货量突破3亿颗,上半年销售额增长500%!

作者 | 发布日期 2023 年 08 月 16 日 17:32 | 分类 氮化镓GaN

今日,英诺赛科官方宣布,截至8月,8英寸硅基GaN芯片出货量已成功突破3亿颗,目前,InnoGaN产品已在消费类(快充、手机、LED),汽车激光雷达,数据中心,新能源与储能领域的多个应用中大批量交付,帮助客户实现小体积、高能效、低损耗的产品设计。

出货量涨势强劲,上半年销售额增长500%

据此前消息,截至2023年Q1,英诺赛科GaN芯片出货量累计出货量突破1.5亿颗(2022年12月:突破1亿颗;2023年Q1:突破5000万颗),这意味着,在后面不到半年的时间里,英诺赛科的GaN芯片出货量相比之前翻了一番,增长势头迅猛。

作为业内少数的IDM厂商,英诺赛科经过7年左右时间的积累,已基本形成全产品的生态链,产品覆盖15V-700V,分为晶圆、分立器件、合封芯片三大类。截至8月,英诺赛科成功量产高压GaN芯片(650V-700V)54 款,中低压GaN芯片(30V-150V)20 款。

应用创新与拓展方面,英诺赛科也持续取得了突破。在手机快充的基础上,InnoGaN产品的应用场景已经延伸到手机内部的电源管理、TV/笔电/智能音箱等半消费类产品的电源管理、汽车激光雷达、数据中心电源/光伏逆变器等工业类应用。

其中,在消费电子应用领域,英诺赛科助力GaN开拓了新应用空间。据介绍,2021年3月,英诺赛科正式量产自主研发的双向导通产品VGaN,并于10月率先导入OPPO手机,成为当时全球首款导入智能手机内部电源开关领域的GaN芯片。随后,Realme、一加、联想、摩托罗拉等手机也相继采用VGaN实现充电保护。

在汽车应用领域,英诺赛科也已经拿下了较快量产的激光雷达应用市场。今年4月,英诺赛科低压产品从工业级应用进军到车规级应用,成功进入汽车激光雷达市场。

在工业电源应用领域,英诺赛科去年10月首次在工业电源产品上实现大规模量产,今年7月开始将GaN应用于新能源光伏发电领域。

在工业应用的数据中心电源上,英诺赛科经过3年的布局和储备,现已可为数据中心提供端到端的all GaN方案,具体来说,从前端的高压转到12V或者48V,2000W到4000W的电源,英诺赛科可提供60V/100V/40V的产品,实现整体供电架构都是GaN的解决方案,真正实现数据中心的功率密度提升和效率提升,同时减少整体能耗,达到50%的收益。

结合产品类别的拓展、应用场景的逐一攻破,英诺赛科在消费级、工业级、车规级GaN市场已经获得头部客户的认可,销量和市占率同步提升。业绩方面,Q1在GaN芯片销量5000万的情况下,英诺赛科的销售额达1.5亿,同比增长3倍;累计上半年,销售额同比大涨500%,由此可以推测,英诺赛科Q2销售额相比Q1有更出色的表现。

GaN需求成长空间逐步打开,市场竞争逐渐激烈

不难发现,随着GaN快速普及消费电子市场,并进一步渗透工业电源、汽车等中高功率市场,GaN需求日益增长,相关厂商开启收割模式。

除了英诺赛科以外,Navitas、Transphorm近日也传来捷报。其中,Navitas Q2收入同比增长110%,环比增长35%,GaN累计已发货超过1亿颗。Transphorm Q2(2024财年Q1)收入同比增长14%,环比增长84%,预期下个季度产品收入恢复连续增长。

中长期来看,GaN是低碳、绿色能源趋势下提高效率及节省能耗的关键,需求将呈现逐年增长的态势。根据TrendForce集邦咨询《2023 GaN功率半导体市场分析报告 – Part1》显示,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金,复合增长率高达65%。

尽管目前消费电子仍是GaN最主要的增长引擎,但随着英飞凌收购GaN Systems带来的联动效应,GaN在中高功率市场的应用已经启动了“快进键”。

从市场竞争格局来看,根据TrendForce集邦咨询《2023 GaN功率半导体市场分析报告 – Part1》分析,按照2022年的营收来看,GaN功率器件前六大供应商分别是PI、Navitas、英诺赛科、EPC公司、GaN Systems、Transphorm。未来,英飞凌加上GaN Systems的市场份额有可能将继续扩大。因此,市场应用打开的同时,各厂之间的竞争也更为激烈了。

在六大GaN功率器件供应商中,仅英诺赛科是中国厂商。目前,国际厂商在产品、产能布局上持续发力,全球化布局的步伐也不断加快,但英诺赛科也不甘落后。

产品和应用上,上文已可见到英诺赛科的布局已经较为全面。

工艺上,英诺赛科目前仍是全球唯一一家量产8英寸硅基GaN平台的厂商。据其介绍,相比业界6英寸的平台而言,英诺赛科单片晶圆器件可以增加80%,意味着其在单颗产品上,成本具备30%的优势。
产能上,截至目前,英诺赛科珠海厂和苏州厂在量产的产能加起来是15000片/月,据称,在GaN行业早期来讲,相当于英诺赛科已占据了全球50%以上的产能,结合其先进工艺和IDM规模化的效应,英诺赛科拥有较大的成本优势。

综合各个维度的布局和储备,以及逐渐凸显的成本优势,英诺赛科接下来在GaN各应用市场的市占率有望进一步提升。(文:集邦化合物半导体Jenny)

更多SiC和GaN的市场资讯,请关注微信公众账号:集邦化合物半导体。