全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 12 日 14:55 | 分类企业

9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。 source：英飞凌英飞凌表示，公司是全球首家在现有可扩展的大批量生产环境中掌握这一突破性技术的公司。这一突破将极大地推动氮化镓功率半导体市场的发展。英飞凌表示，12英寸晶圆与... [详内文]

士兰微：拟向参股公司士兰集科增资8亿元

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 09 月 12 日 14:53 | 分类企业

9月11日晚间，士兰微发布公告，拟向参股公司厦门士兰集科微电子有限公司（以下简称：士兰集科）增资8亿元。根据公告，士兰集科本次拟新增注册资本148155.0072万元。士兰微拟与厦门半导体投资集团有限公司（以下简称：厦门半导体）以货币方式共同出资16亿元认缴士兰集科本次新增的全... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 12 日 10:31 | 分类企业

第2届第三代半导体及先进封装技术创新大会暨先进半导体展 “芯”材料新领航 11月6-8日，深圳国际会展中心（宝安）主办单位中国生产力促进中心协会新材料专业委员会 DT新材料联合主办深圳市宝安区半导体行业协会支持单位粤港澳大湾区半导体产业联盟横琴粤澳深度合作区半导... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 11 日 15:43 | 分类企业

9月10日，晶圆代工大厂世界先进宣布，拟投资24.8亿新台币（折合人民币约5.5亿元），以获取汉磊科技公司（下文简称“汉磊”）13%的股权。双方将进行策略合作，共同推动8英寸碳化硅（SiC）晶圆技术研发与生产制造。 source：汉磊资料显示，汉磊位于中国台湾新竹科学园，专注... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 11 日 15:40 | 分类功率

9月10号晚，长飞先进宣布，公司武汉基地主体楼已全面封顶。 source：长飞先进据悉，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，... [详内文]

作者 chen, zac|发布日期 2024 年 09 月 10 日 18:00 | 分类企业

9月9日，据“硬氪”消息，珠海市硅酷科技有限公司（以下简称：硅酷科技）日前完成亿元级战略融资，本轮融资由中车资本、哇牛资本（汇川高管系基金）和闻芯基金（闻泰科技下属基金）领投，资金将用于加大碳化硅预烧结键合设备批量交付和先进封装HBM设备的商业化。公开资料显示，硅酷科技成立于2... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 10 日 17:55 | 分类企业

据合盛硅业官微消息，近日，合盛硅业全资子公司合盛硅业（上海）有限公司研发制造中心项目主体顺利封顶。 source：合盛硅业据悉，该项目位于上海市嘉定区南翔镇永乐片区，总建筑面积4万多平方米。项目于2023年3月破土动工，目前项目主体已全部完成封顶作业，正在进行内部地坪浇筑作业... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 10 日 17:50 | 分类企业

9月9日， Wolfspeed推出了一款2300V碳化硅模块，旨在通过提高效率、耐用性、可靠性和可扩展性，推动可再生能源、储能和大容量快速充电领域发展。 source：Wolfspeed Wolfspeed指出，用于1500V直流母线的2300V无底板碳化硅电源模块，采用了Wo... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 10 日 14:37 | 分类功率

第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。 2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于近日开始供应样品。图片来源：信越化学从氮化镓生产上看，尽管GaN... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 10 日 8:45 | 分类企业

近日，在碳化硅设备领域，国内两家企业取得了新进展——中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级，三义激光首批碳化硅激光设备正式交付。关键突破！中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级近日，中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再获突破。据中国电科官方消息，碳化硅... [详内文]