Tag Archives: 氮化镓

北京普能微电子发布GaN射频功率放大器系列
作者 |发布日期 2023 年 11 月 17 日 18:15 | 分类 射频
11月16日，北京普能微电子科技有限公司（以下简称北京普能微电子）正式发布氮化镓（GaN）射频功率放大器系列，包括GNQ6010、GNQ6030、GNC6010、GNC6030、GNC6050、GNC60100六款产品。 资料显示，北京普能微电子主要从事高端射频模拟半导体研发、设...  [详内文]

致能科技首发1200V D-Mode氮化镓器件平台
作者 |发布日期 2023 年 11 月 09 日 17:35 | 分类 企业
11月8日，广东致能科技有限公司首发1200V 耗尽型（D-Mode）高可靠性氮化镓（GaN）器件平台。在满足1200V系统可靠性条件下，本征击穿已经达到2400V，可用于工业、新能源、汽车等领域。 资料显示，致能科技成立于2018年12月，公司总部位于广州，在徐州、深圳、上海等...  [详内文]

英飞凌正式并购GaN Systems
作者 |发布日期 2023 年 10 月 25 日 13:58 | 分类 企业
上半年轰动SiC/GaN第三代半导体及功率半导体领域的大型收购案——英飞凌收购GaN Systems——终于在昨日（10/24）画上了圆满的句号。 英飞凌完成收购GaN Systems 2023年3月2日，功率半导体龙头厂商——英飞凌宣布拟以8.3亿美元（按今日汇率计算，约合人...  [详内文]

东部高科宣布加大SiC/GaN研发
作者 |发布日期 2023 年 10 月 23 日 17:33 | 分类 企业
据外媒报道，韩国晶圆代工大厂东部高科（DB HiTek）宣布正在加大力度研发SiC、GaN功率半导体器件，并已为此引进了生产所需的核心设备。 据了解，东部高科专业从事8英寸晶圆代工，于2021年底宣布将在2022年一季度开发基于下一代半导体材料的功率半导体，同步发展SiC和GaN...  [详内文]

国星光电联合佛照电工推出33W氮化镓墙插快充新品
作者 |发布日期 2023 年 09 月 22 日 16:45 | 分类 功率
9月20日，国星光电联合佛山照明智达电工科技有限公司（以下简称“佛照电工”）开发的基于第三代半导体氮化镓应用墙插快充产品正式面世。 据介绍，国星光电与佛照电工联合推出的86面板墙插产品，采用了国星光电33W氮化镓技术，该技术主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的氮化镓墙插...  [详内文]

纳微计划扩产SiC/GaN
作者 |发布日期 2023 年 09 月 11 日 17:30 | 分类 功率
据外媒报道，纳微半导体正计划在欧洲和美国扩大其氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的生产能力，以减少对台厂的依赖。 据悉，纳微目前的SiC及GaN分别由X-Fab和台积电代工，其中，SiC器件在X-Fab的美国德州（Lubbock, Texas）工厂生产，GaN在台积电的...  [详内文]

格恩半导体氮化镓激光芯片量产发布
作者 |发布日期 2023 年 08 月 27 日 16:55 | 分类 企业
8月26日，安徽格恩半导体有限公司（以下简称：格恩半导体）在六安曙光铂尊酒店举办氮化镓激光芯片产品发布会，中国科学院院士、南昌大学副校长江风益教授等行业内外专家学者出席了本次发布会。 格恩半导体共发布了十多款氮化镓激光芯片产品，其中包括蓝光、绿光及紫光等系列产品，据称，这些产品...  [详内文]

射频氮化镓企业Gallium Semiconductor在菲律宾设厂
作者 |发布日期 2023 年 08 月 14 日 16:29 | 分类 射频
日前，新加坡GaN氮化镓射频半导体解决方案供应商Gallium Semiconductor宣布已在菲律宾建设了制造工厂，并于2月3日举行了开业仪式。 Gallium Semiconductor专注于为5G移动通讯网络、航空航天、国防、工业、科学及医疗等领域设计、开发与量产高性...  [详内文]

三安半年报：SiC业务增长178.86%，900V GaN器件完成开发
作者 |发布日期 2023 年 08 月 07 日 17:30 | 分类 功率
8月4日晚间，三安光电公布了2023年半年报，报告期内整体营收约64.69亿元，同比下降4.33%；归属于上市公司股东的净利润1.7亿元，同比下降 81.76%；归属于上市公司股东的扣非净利润为-5.55亿元，总体情况大致与7月份公布的业绩预告相符。 集成电路业务收入、毛利率同...  [详内文]

意法半导体量产氮化镓器件PowerGaN
作者 |发布日期 2023 年 08 月 03 日 17:10 | 分类 氮化镓GaN
意法半导体最近宣布，已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。 STPOWER™ GaN晶体管是基于氮化镓(GaN)的高效晶体管，提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。...  [详内文]