Tag Archives: GaN

助力碳中和,GaN加深绿色能源领域渗透

作者 |发布日期 2024 年 03 月 18 日 18:00 | 分类 产业
自2018年10月25日,MU发布全球首款GaN充电器,将GaN正式引入消费电子领域以来,短短几年间,各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前,GaN消费电子产品市场已是一片红海,竞争日趋激烈。 面对GaN在消费电子领域应用现状,相关企业开始寻求新的增量市场,GaN技术应用由此逐步向...  [详内文]

GaN冰火两重天:出售/倒闭VS扩产/降本

作者 |发布日期 2024 年 03 月 15 日 17:40 | 分类 产业
作为第三代半导体的翘楚,氮化镓早已是企业跑马圈地的重点赛道。而在近期,这一赛场风云不断,砥砺前行者有之,中途撤场者亦有之。 图片来源:拍信网正版图库 出售/倒闭事件增多 3月13日,美国垂直GaN器件厂商Odyssey官宣出售公司资产。据悉,Odyssey已与客户签署最终协议,...  [详内文]

SiC/GaN外延设备厂爱思强2023年业绩创新高

作者 |发布日期 2024 年 03 月 13 日 15:47 | 分类 企业
近日,爱思强公布2023全年及四季度业绩报告。尽管外部环境较为低迷,但在G10系列新设备及其他设备产品的推动下,2023全年爱思强仍实现了订单量、销售额和利润的大幅增长。 01、2023年,订单、营收、利润创新高 2023全年,爱思强实现总营收6.299亿欧元(约合人民币49....  [详内文]

营收可达数百万美元,纳微GaN/SiC技术助攻AI数据中心

作者 |发布日期 2024 年 03 月 12 日 17:43 | 分类 企业
3月11日,纳微半导体(下文简称“纳微”)公布了其AI数据中心技术路线图,为满足预计在未来12-18月内类似指数级增长的AI功率需求,路线图中的产品功率将提高3倍。 纳微表示,传统CPU一般只需要300W,而数据中心交流/直流电源的功率大小通常等于10个CPU功率总和或3,000...  [详内文]

SiC/GaN外延厂百识电子完成A+轮投资

作者 |发布日期 2024 年 03 月 11 日 17:50 | 分类 企业
3月11日,南京百识电子科技有限公司(下文简称“百识电子”)宣布,公司已完成A+轮融资,多家知名机构参投。 据介绍,百识电子成立于2019年,可提供6吋碳化硅(SiC),以及6吋、 8吋硅基氮化镓(GaN-on-Si)专业外延代工服务。 百识电子指出,2023年公司外延工艺和技术...  [详内文]

晶湛半导体GaN外延片生产扩建项目竣工验收

作者 |发布日期 2024 年 03 月 07 日 17:47 | 分类 企业
近日,据“独墅湖科创区发布”官微消息,晶湛半导体氮化镓(GaN)外延片生产扩建项目已于2024年1月15日取得竣工验收备案证。 图片来源:拍信网正版图库 据悉,该项目占地面积16.5亩,总建筑面积2.2万平方米,总投资2.8亿元,预计年产6英寸GaN外延片12万片,8英寸GaN...  [详内文]

降本增效,德州仪器转型8英寸GaN工艺

作者 |发布日期 2024 年 03 月 06 日 18:00 | 分类 企业
德州仪器(TI)近日披露了在GaN功率器件工艺方面新的战略规划,该公司正在将其GaN-on-Si生产工艺从6英寸向8英寸过渡。 source:德州仪器 TI从6英寸转型8英寸 3月5日,TI韩国总监Ju-Yong Shin表示,TI正在美国达拉斯、日本会津和其他地方兴建8英寸晶圆...  [详内文]

第三代半导体项目遍地开花

作者 |发布日期 2024 年 03 月 04 日 16:37 | 分类 功率
近日,多个第三代半导体项目迎来最新进展。其中,重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。 总投资32.7亿元,重投天科第三代半导体项目在深圳宝安启用 据滨海宝安消息,2月27日,第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用,其由深圳市重投天科半导体...  [详内文]

1.2亿,GaN企业Wise-integration获投资

作者 |发布日期 2024 年 03 月 01 日 17:45 | 分类 企业
2月29日,法国氮化镓(GaN)电源和IC数字控制的先驱Wise-integration,宣布获得1500万欧元的融资(折合人民币约1.2亿元)。 本轮融资将推动该公司旗舰产品WiseGan和WiseWare的大规模生产和商业部署,其颠覆性的数字控制技术,以及为全球采用这些解决方...  [详内文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ导通电阻的GaN FET

作者 |发布日期 2024 年 02 月 29 日 16:42 | 分类 功率
2月27日,EPC推出采用紧凑型3 mm x 5 mm QFN封装的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET,为DC-DC转换、快速充电、电机驱动和太阳能MPPT提供更高的功率密度。 EPC称,这是市场上导通电阻最低的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,功率密度...  [详内文]